光刻材料概述 - 光刻材料是半导体制造的关键拼图，性能直接影响芯片集成度、性能、功耗及生产成本 [2] - 光刻材料包括SOC、抗反射涂层(BARC/TARC/SiARC)、光刻胶、增粘材料等，决定晶圆工艺图形精密程度与良率 [3] - 光刻工艺占晶圆制造成本13%-15%，耗时占比40%-50%，单芯片需20-90次光刻 [5] SOC材料 - SOC是光刻工艺基石，由聚酰胺酸树脂等组成，用于衬底表面平坦化，解决薄胶膜抗刻蚀难题 [7][9] - 三层结构(光刻胶+SiARC+SOC)广泛应用于先进NAND/DRAM及45nm以下逻辑芯片，提升图形解析度 [9] - 厦门恒坤SOC产品耐温达400-450℃，填隙能力达20nm以下，缺陷率低于5个/ml [10] 抗反射涂层 - BARC位于衬底与光刻胶间，消除反射光驻波效应，KrF/ArF光刻必备材料 [12][14] - TARC涂覆于光刻胶表面，减少曝光系统光线反射，提升图案精度 [17][18] - 抗反射涂层市场规模2023年29.4亿元，预计2028年达96.9亿元，年复合增长率26.9% [45] 光刻胶 - 半导体光刻胶分g/i-Line、KrF、ArF、EUV五类，国产化率仅1-10%，EUV处于研发阶段 [19][20] - 光刻胶参数包括分辨率、对比度、灵敏度等，直接影响芯片良率 [21][22] - 2023年市场规模64.2亿元，预计2028年达150.3亿元，KrF/ArF占比将超71% [50][52] 市场格局 - 全球市场由日美企业主导，信越/JSR/东京应化等占据95%份额 [54][60] - 国内恒坤新材占SOC市场90%，北京科华/KrF胶逐步替代进口 [58][62] - 原材料(树脂/单体/溶剂)80%依赖进口，徐州博康/圣泉集团局部突破 [65] 技术趋势 - 未来聚焦高分辨率(10nm以下)、强抗刻蚀性及原材料国产化 [70][71] - 5G/AI/IoT驱动需求，2028年中国光刻材料市场规模预计达319.2亿元 [39][72] - 浸没式光刻+多重曝光技术推动材料升级，14/7nm节点需三重曝光 [38][53]