MRAM技术优势 - MRAM利用磁性材料磁化方向导致的电阻高低表示二进制数据，相比传统电荷存储的SRAM和DRAM具有高速、低功耗、高擦写、抗辐射、高可靠等优点 [1] - 驰拓科技MRAM产品在125℃高温下可保持数据十年以上，工作温度范围覆盖-40~+125℃，支持超过万亿次重复写入，大容量阵列良率达到95% [1] - 产品分为嵌入式eMRAM和独立式MRAM两类 [1] 嵌入式eMRAM应用 - eMRAM可替代MCU/SoC中的eFlash，突破eFlash在28/22nm工艺节点的微缩极限，可延展至28nm及更先进工艺 [2] - 具有类似DRAM的读写速度、闪存的非易失性、匹配SRAM的接口特性和优良抗辐照特性 [2] - 适用于工控、汽车电子、身份认证、智能穿戴等高可靠应用场景 [2] - 公司正联合IP合作伙伴和MCU/SoC厂商打造eMRAM生态链，推动其在MCU/SoC中的广泛应用 [2] 独立式MRAM产品 - 独立式MRAM按容量、接口、封装分为多个系列，已在工控、电力、计量等行业头部用户中应用 [5] 下一代SOT-MRAM技术 - 公司在SOT-MRAM研究处于国内领先水平，2024年IEDM大会上首次提出适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构 [7] - 该技术突破标志着公司具备Mb级SOT-MRAM演示芯片制造能力，为下一代高速、高密度、高可靠MRAM奠定基础 [7] 公司概况 - 建有12英寸MRAM量产中试线，是国内首家实现MRAM量产的企业 [8] - 拥有MRAM设计制造全套关键技术，可提供90/55/40/28nm多个工艺节点的芯片定制、工艺研发、流片、测试等全方位服务 [8] 参展信息 - 确认参展2025年深圳国际电子展（8月26-28日，展位1号馆1P26），将展示MRAM最新成果 [1]