半导体设备行业竞争 - Lam Research与东电电子（TEL）在三星电子400层以上NAND Flash制程上展开正面竞争，两家公司均已通过三星下一代工艺（V10 NAND）的新技术性能评估，即将进入订单争夺战[2] - Lam Research通过更换原有设备的核心模块，实现了可在零下60~70℃环境下刻画更精细电路的低温蚀刻工艺，技术难度极高，全球仅少数厂商掌握[2] - 三星V10 NAND采用400层以上堆叠结构，通道孔纵横比急剧上升，需引入低温蚀刻技术以满足工艺需求[2] 技术评估与供应链动态 - TEL早于Lam Research三个月完成性能评估，并于今年4月获得接近供应最后阶段的POR批准，目前两家公司均通过三星验证[3] - Lam Research在NAND Flash蚀刻设备领域长期占据主导地位，但V10 NAND需全新工艺，三星可能同时采用两家设备，加剧竞争[3] - TEL需提供全新低温蚀刻设备，而Lam Research通过升级现有Vantex设备模块来巩固优势[3] 三星生产计划 - 三星预计在明年上半年建成V10 NAND量产线，试生产后于下半年正式量产，设备采购订单（PO）即将启动[3]