技术开发进展 - 公司于第二季度成功开发基于1c（第6代10纳米级）工艺的LPDDR5X低功耗DRAM [2] - 新产品最高运行速度达10.7Gbps，单颗容量为24Gb，主要面向AI服务器及PC市场 [3] - 1c DRAM尚未量产，计划从2024年下半年开始转产投资 [2] 产品技术特性 - LPDDR5X为第七代低功耗DRAM，较普通DDR更注重能效，主要应用于智能手机及平板等IT设备 [2] - 采用LPCAMM封装技术，结合可拆卸模块与板载焊接优势，减少封装面积并提升能效 [3] - SOCAMM为LPDDR下一代模块，配备694个I/O端口，较LPCAMM的644个更多 [3] 市场战略定位 - 以SoCAMM和LPCAMM形式提供解决方案，瞄准AI服务器及PC市场需求 [3] - 新产品开发旨在抢占AI低功耗DRAM市场先机，满足全球大型科技公司需求 [2][3] - 英伟达等AI产业主导企业预计在下一代AI PC中采用LPCAMM及SOCAMM产品 [3] 工艺演进路线 - LPDDR技术发展顺序为1-2-3-4-4X-5-5X，当前第七代LPDDR5X已实现量产 [2] - 公司于2023年第四季度实现1b（第5代10纳米级）LPDDR5X量产 [2] - 1c工艺为第六代10纳米级技术，代表当前最先进制程节点 [2]