韩国半导体企业投资策略调整 - 三星电子和SK海力士等韩国主要半导体企业放缓先进NAND投资步伐 由于需求不确定性较高且投资重点集中在DRAM和封装领域 企业对投资负担较重[1] - 韩国本土设备厂商对国内市场持保守预期[1] 三星电子NAND投资具体变化 - 三星电子在平泽P1工厂和西安NAND工厂推进从第6、7代NAND向第8、9代转换的投资 转换投资比新建生产线费用更少且效率更高[1] - 平泽P1工厂第8代NAND转换按计划进行 但第9代NAND转换投资已延期 原定最快在今年二季度启动[1] - 西安工厂X1生产线第8代转换接近收尾 X2生产线第9代转换今年三季度仅计划执行每月5000片晶圆规模的投资 月产5000片是内存产品量产所需的最小规模[1] 投资放缓原因与技术规划 - 先进NAND需求低迷导致三星电子西安X2生产线第9代转换至少推迟到明年年中 目前该生产线将继续量产V6等旧一代NAND直至明年一季度[2] - 三星电子搁置在西安X2生产线应用混合键合技术于V9 NAND的计划 该技术无需凸点直接贴合芯片以提升性能和散热特性[2] - 三星电子计划从400层以上的第10代V10 NAND开始量产应用混合键合技术 V10量产投资时间最快也要到明年年中[2] SK海力士投资重点与策略 - SK海力士目前大部分投资集中在最先进DRAM及HBM高带宽存储器上[2] - SK海力士在V10 NAND的研发进度慢于三星电子 短期内难以期待新的NAND投资[2] - SK海力士表示NAND方面将根据下游需求情况维持谨慎投资基调 并以盈利能力为核心进行运营[2]