行业概况 - 溅射靶材是半导体产业的基础材料，用于物理气相沉积（PVD）工艺，通过磁控溅射技术形成功能薄膜，决定芯片性能、良率和可靠性 [6][8] - 主要应用于晶圆制造和封装测试环节，支撑先进制程（如7nm以下），薄膜厚度需控制在纳米至微米级，均匀性误差要求极高 [8][9] - 核心特性包括超高纯度（5N5级别以上）、高精度尺寸和高微观结构一致性，满足芯片对电性、可靠性和集成度的严苛要求 [8] 靶材分类 - 按材质分为金属靶材（铜、铝、钛等）、合金靶材（铜锰合金等）、陶瓷靶材（氧化铟锡等） [12] - 铝靶用于110nm以上制程导电层，铜靶用于110nm以下先进制程互连层，钽靶用于阻挡层防止金属扩散 [12] - 制程微缩推动靶材纯度要求提升，14nm需6N纯度，3nm及以下需7N纯度 [13] 产业链分析 上游供应 - 原材料依赖高纯金属（如6N级铜），国内企业如新疆众和（高纯铝）、江丰电子（钨靶）部分实现自给，但多数仍进口 [15][16] - 关键设备（熔炼炉、粉末冶金设备）被欧美日企业垄断，影响靶材生产效率和质量 [17] 中游制造 - 技术密集环节，涵盖熔炼、成型、加工、绑定等工序，精度需控制在微米/纳米级 [18] - 工艺包括熔炼铸造法（效率高但易氧化）、粉末冶金法（成分均匀但成本高）、沉积法（高纯度但产能低） [28][31][32] 下游应用 - 主要需求来自半导体芯片制造，形成金属互连层、阻挡层等关键结构，AI、5G、物联网推动需求增长 [22][23] - 溅射镀膜市场被美日企业垄断，专用设备精密度高 [21] 市场情况 - 全球溅射靶材市场规模从2018年821亿元增至2022年1,163亿元（CAGR 9.1%），预计2027年达1,945亿元（CAGR 10.7%） [47][48] - 中国半导体靶材市场2022年27亿元（CAGR 14.4%），预计2027年57亿元（CAGR 15.8%），晶圆制造靶材增速更高（CAGR 16.7%） [49][52][53] 竞争格局 - 全球80%份额被美日企业占据，JX日矿金属（30%）、霍尼韦尔（20%）、东曹（20%）为龙头 [60][63] - 国内企业如江丰电子（7nm量产）、有研新材（钌基靶材）、阿石创（钼靶全球市占25%）加速替代，但高端市场仍存差距 [64][82][86] 技术趋势 - 3nm制程需7N纯度靶材，推动新型提纯技术（区域熔炼、离子交换）发展 [43] - 材料创新：钴、钌合金靶材应对功耗问题，EUV光刻专用靶材研发 [68] - 3D封装需求催生垂直互连结构靶材，提升薄膜沉积方向性控制 [68] 核心投资逻辑 - 刚性耗材属性：与晶圆厂CAPEX和产能利用率强相关，弱化周期波动 [74] - 三重壁垒：技术（高纯度）、认证（长周期）、客户粘性（高切换成本） [75] - 国产替代：国内企业从加工环节向上游核心材料突破，侵蚀海外份额 [76] - 技术跃迁：布局先进制程（钴/钌靶）和封装（大尺寸铜靶）的企业更具成长性 [77] 国内外企业清单 - 国际龙头：JX日矿金属（钛靶）、霍尼韦尔（钛/铝靶）、东曹（钴/镍靶） [79][80] - 国内领先：江丰电子（铜靶市占率超20%）、先导薄膜（ITO靶全球30%）、映日科技（光伏靶材） [82][91][94] - 高纯金属供应商：新疆众和（高纯铝）、有研亿金（超高纯铜）、东方钽业（高纯钽） [101]