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技术趋势观察 | 异构集成技术:从回流焊工艺到热压键合,最终走向混合键合
势银芯链·2025-08-29 13:17

"宁波膜智信息科技有限公司"为势银(TrendBank)唯一工商注册实体及收款账户 重要会议: 11 月 17-19 日,2025势银异质异构集成年会(浙江·宁波) 点此报名 11月19日-21日,2025势银显示技术与供应链产业年会(四川·成都) 点此报名 添加文末微信,加 异质异构集成产业 群 随着高性能计算、光通信以及传感器行业技术与市场需求快速扩张,异构集成技术正在加速迭代,从 2D异构集成到2.5D芯粒集成,再到3D堆叠 集成,并向3.5D系统集成拓展,索尼、台积电、三星、英特尔以及AMD等芯片大厂都在竞相开发异构集成工艺。 在 2D异构集成路线中,倒装芯粒直接并排键合至RDL/有机IC载板封装,通过回流焊工艺,C4 Bump间距在150~110μm,随着集成技术精进, 通过热压键合及毛细填充工艺,C4 Bump间距可达到110-90μm。 在 2.5D芯粒集成路线中,为了进一步提高集成度、数据传输速度,基于interposer、嵌入式桥接以及三维堆叠的TSV+热压键合工艺, μ Bump 间距集中在50-25μm,未来商业化键合技术可延展至10μm。 在 3D堆叠以及3.5D系统集成路线中,会使用 ...