据参考消息援引美媒报道，台湾"高等检察署"侦办台积电2纳米核心关键技术窃密案，查出 台积电前工程师陈力铭跳槽到日企东京电子公司（TEL）后，为获取"蚀刻机台"量产测试数 据，通过时任台积电工程师吴秉骏、戈一平窃取参数配方。检方27日根据违反"安全法"、 营业秘密等罪，起诉以上3人。 据报道，由于陈力铭、吴秉骏、戈一平涉"核心关键技术营业秘密之域外使用罪"，检方分 别求处7至14年重刑，3人在押，且均认罪，下周将移审至台湾"智慧财产与商业法院"。 检调认定，陈力铭翻拍、复制台积电核心技术测试数据、流程图文件共14张。检方认定， 陈力铭应执行有期徒刑14年，吴秉骏应执行有期徒刑9年，戈一平应处有期徒刑7年。 有报道指出，目前全球仅台积电、三星、英特尔与Rapidus 4家企业持续投入2纳米开 发，预计台积电最快将于2025年下半年启动量产。该制程技术属典型"核心关键技术"，一 旦外泄，将改变全球芯片制程竞争格局。 据海峡导报援引台媒报道，此次事件波及台积电研发中心与新竹宝山Fab20厂区，涉案人员 共9人，包括3名2纳米试产及6名研发支援部门工程师。该案最初是台积电侦测到异常流 量，发现部分员工在居家远程工作期间 ...