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解锁“后摩尔时代”突围新路径,势银走访国内首条LNOI光子芯片中试线
势银芯链·2025-09-05 09:32

文章核心观点 - 光子芯片技术是解决后摩尔时代计算瓶颈的关键方案 提供指数级算力提升 推动人工智能 无人驾驶 生物医药等领域发展[3] - 上海交通大学无锡光子芯片研究院(CHIPX)实现国内首条光子芯片中试线投产 完成首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆下线 实现超低损耗超高带宽调制器芯片规模化量产[4] - 中国在高端光电子核心器件领域实现从技术跟跑到产业领跑的历史性跨越 预计年底开启对外规模化流片服务[4] 光子芯片技术优势 - 光子芯片以光为载体 相比电子芯片具备更高带宽 更高并行性 更低能耗 能带来指数级算力提升[3] - 铌酸锂薄膜光子芯片技术兼容CMOS 具备超大规模 超快调制 超宽光谱 超低损耗优势[6] - 飞秒激光三维直写技术实现自主可控全国产化替代 加工能力超越欧美技术 具备智能化超大规模超精密微纳加工能力[6] CHIPX技术突破 - 突破飞秒激光超分辨直写技术 实现玻璃基存储介质超高密度超大容量永久存储[4] - 自主开发DUV光刻工艺 干法刻蚀工艺 制备高品质低损耗薄膜铌酸锂光波导 实现光子芯片规模集成与全流程工艺自主可控[5] - 拥有完全自主的技术和工艺 突破卡脖子难题 是唯一具备芯片制备+量子计算+人工智能+光连接技术的团队[5] 生产工艺能力 - 光刻工艺拥有国际TOP级光刻机 年产能达120,000片晶圆 ASML深紫外光刻机最高分辨率110纳米 套刻精度≤15纳米[12] - 薄膜沉积工艺年产能达30,000片晶圆 金属薄膜沉积设备沉积速率>1.5纳米/秒 方阻厚度非均一性≤2%[11] - 刻蚀工艺支持6吋8吋多种材料刻蚀 深硅刻蚀机硅刻蚀深度>300微米 与光刻胶选择比>100[10] 测试与加工能力 - 拥有领先的光电高带宽测试系统 前沿的光电集成晶圆自动测试系统 高频测试带宽达110GHz[7] - 激光隐形切割工艺支持6吋8吋晶圆级量产 切割直线度<3微米 单边切割道崩边<3微米[8] - SEM分辨率达0.7纳米 AFM精度达0.03纳米 支持倾斜45°加工[9] 产业生态建设 - 建设光子芯谷创新中心 打造以光子芯片底层技术驱动的量子计算 人工智能 光通信等光子科技产业集群[12] - 已孵化近10个硬科技团队 部分企业获得多轮融资 如途深智合获3轮融资 观原科技获得市级产研院基金[13] - 致力于打造全球最大规模光子芯片产业基地 拓展多材料体系 突破多材料异质集成技术 为通用小型化量子计算机研发量产奠定基础[13] 行业会议规划 - 势银联合甬江实验室计划于2025年11月17-19日举办异质异构集成年会 聚焦多材料异质异构集成 光电融合等核心技术[14] - 会议将围绕三维异构集成 光电共封装 晶圆级键合等前沿技术开展深度交流 推动技术创新与产业应用深度融合[14]