三星先进制程发展 - 三星为与台积电竞争必须承担采购ASML高数值孔径EUV光刻机的高昂成本 每台设备售价约4亿美元[1][2] - 三星已于3月安装用于1.4纳米生产的高数值孔径EUV光刻机EXE:5000 并计划2027年开始量产1.4纳米芯片[1][2][3] - 三星已找到解决2纳米GAA节点良率问题的方法 Exynos 2600芯片组将于今年晚些时候投入量产[1] 韩国政府政策支持 - 韩国政府计划取消进口半导体设备关税 包括坩埚 碳基复合材料等八类晶圆制造材料[1][3][4] - 关税优惠范围从石英玻璃基板扩大至晶圆制造材料 预计降税效益达数千亿韩元[4] - 政策旨在降低半导体厂商成本 提升韩国半导体产业竞争力[2][3][4] 市场竞争格局 - 三星第2季全球晶圆代工市占率与台积电差距扩大至62.9个百分点 为历来最大[3] - 三星失去全球DRAM霸主地位 连续两季市占率落后于SK海力士[2][3] - SK海力士已率先采用ASML EXE:5200B机台进行量产 加速新一代存储器开发[3] 技术发展动态 - 高数值孔径EUV光刻机将用于2纳米以下晶圆生产 包括1.4纳米制程开发[1][2][3] - 三星计划通过设备精进提升先进制程发展 同时寻求政府政策支持[3] - 半导体制造商通过简化EUV制程提升产品效能和成本竞争力[3]