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HBM 4,三星孤注一掷
半导体行业观察·2025-09-08 09:01

三星电子平泽第五工厂建设 - 三星电子加速建设平泽第五工厂 施工准备已启动 计划下个月全面开工[2] - 工厂占地289万平方米 是全球最大半导体生产基地 配备10纳米第六代(1c)DRAM生产线[2] - 将采用1c工艺批量生产用于HBM4的DRAM 第四工厂剩余生产线也准备复工[2] HBM4技术布局与生产战略 - 公司正量产第六代HBM4样品 产量约10,000片晶圆 采用10纳米级第六代(1c)DRAM技术[4] - 通过HBM4内部量产审批 准备样品生产以进行客户供货谈判[2][4] - 与SK海力士和美光相比处于技术劣势 但利用EUV工艺和产能优势抢先采用下一代DRAM[4] HBM4市场竞争与定价策略 - 计划7月向NVIDIA交付HBM4样品 与竞争对手(SK海力士3月交付/美光6月交付)争取同步进入供应链[5] - 12层HBM4价格预计比HBM3E高出60-70% 但公司考虑低于20%的溢价策略 几乎无利润空间[5][7] - NVIDIA寻求更低价格 导致与SK海力士谈判出现分歧 并考虑三星和美光作为替代方案[6][7] 管理层决策与市场地位 - 半导体部门副会长兼任内存业务负责人 实现快速大胆决策 管理层强调不计手段抢占HBM市场[7] - 公司近期采取激进定价和生产策略 被类比为历史"胆小鬼博弈" 意图重夺存储器霸主地位[4][7] - 董事长李在镕会见NVIDIA CEO黄仁勋 体现对HBM合作的决心[7]