先进封装技术发展趋势 - 随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为突破芯片制程微缩瓶颈的关键技术，台积电CoWoS产能已出现供不应求状况[1] CoWoS技术体系 - CoWoS是台积电2.5D/3D封装技术，通过Chip-on-Wafer芯片堆叠和Wafer-on-Substrate基板封装实现空间缩减、功耗降低和成本优化[2] - 技术分为三个子类：CoWoS-S采用硅中介层，成本最高且受限于2500平方毫米封装尺寸，被NVIDIA H100和AMD MI300采用[5]；CoWoS-R使用RDL中介层，适合成本敏感的AI ASIC和边缘计算应用[7]；CoWoS-L采用LSI和RDL混合中介层，支持12颗HBM堆叠，成本介于S和R之间[8] - 台积电高管确认CoWoS-L将成为未来技术蓝图核心，因其能更好平衡顶部芯片成本与性能需求[10] CoPoS面板级封装创新 - CoPoS以面板RDL层取代圆形硅中介层，采用310×310毫米等矩形面板设计，提升面积利用率和多芯片封装能力[12][13] - 该技术采用玻璃/蓝宝石材料，解决大尺寸芯片翘曲问题，预计2026年建立实验线，2028年底量产，首批客户为NVIDIA[15] - 与FOPLP技术差异在于：CoPoS面向AI高阶芯片且需中介层，FOPLP用于PMIC/RFIC等低成本芯片且无需中介层[16] CoWoP技术路径突破 - CoWoP通过移除封装基板和BGA，将芯片与中介层直接集成至高精度PCB主板，缩短互连路径并改善散热[17][21] - 该技术使信号传输路径更短，提升信号完整性，NVIDIA已在Rubin GPU系列测试该技术，台系供应链送样验证中[21] WMCM技术特性 - WMCM是台积电与苹果共同开发的平面封装技术，通过RDL取代中介层，将逻辑芯片与DRAM平行封装，改善散热和信号完整性[23][25] - 该技术使不同元件在晶圆阶段整合后直接切割，无需中介层或基板连接，预计应用于2026年iPhone 18的A20处理器[22][23] 技术对比与应用 - CoWoS技术成熟且支持HBM堆叠，但依赖ABF基板；CoPoS提升生产效率并降低成本，适用于大型复杂设计；CoWoP具有最短信号路径和最佳散热设计，理论成本最低[22] - 三类技术均主要应用于AI加速器、高性能计算和HBM堆叠模块，但供应链重心不同：CoWoS依赖台积电产能，CoPoS驱动面板级设备升级，CoWoP需要高精度PCB和超薄铜箔技术[22]