国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 9 月 12 日消息，SK 海力士刚刚宣布已成功完成面向 AI 的超高性能存储器新产品 HBM4 的 开发，并在全球范围内率先构建了量产体系。 SK 海力士表示："公司成功开发将引领人工智能新时代的 HBM4，并基于此技术成果，在全 球首次构建了 HBM4 的量产体系。此举再次向全球市场彰显了公司在面向 AI 的存储器技术 领域的领导地位。" 高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直连接多个 DRAM，相比现有的 DRAM 可显著提升数据处理速度，目前已推出六代产品 ——HBM、HBM2、HBM2E、 HBM3、HBM3E、HBM4。 据海力士介绍，全新的 HBM4 采用了较前一代产品翻倍的 2048 条数据传输通道，将带宽扩 大一倍，同时能效也提升 40% 以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理 速度和能效。 公司预测，将该产品引入客户系统后，AI 服务性能最高可提升 69%，这一创新不仅能从根本 上解决数据瓶颈问题，还可显著降低数据中心电力成本。 与 ...