图像传感器的未来方向
半导体芯闻·2025-09-15 17:59
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 过去五十年来,像素的发展轨迹不断增加工艺复杂性,以实现成像所需的性能。在这一过程中,开 发和制造工艺工程师功不可没,他们成功实现了一系列针对图像传感器的工艺改进,以满足性能、 良率和成本方面的要求。这些改进包括使用新材料来减少串扰、增强光学性能并支持附加功能(图 1)。这些工艺可以沿用自其他产品(例如MIMcaps,图2),也可以采用新颖的结构,例如气隙 背面栅极(图3),应用于图像传感器。 产品开发过程伴随着一系列技术挑战,直至满足市场需求(例如,缩小像素尺寸以降低成本并增加 阵列尺寸),然后转向下一个市场需求(例如,增加高动态范围等功能)。逆向工程的目的是记录 每个制造商所采用的技术开发,并预测流程开发中即将出现的决策点。 堆叠技术就是一项赋能技术的例子。其发展轨迹是从前照式单金属CCD到多金属CMOS(用于增 加功能),再到背照式CMOS(用于改善光学响应),再到面对面堆叠CMOS(用于在限制芯片尺 寸的同时增加图像处理功能)。最后一种技术需要金属互连,最初是通过位于芯片边缘的硅通孔实 现的,但这正在被混合键合所取代,这种键合利用了材料的特性:两个抛光的SiO表 ...