SK海力士HBM4技术突破 - 公司宣布量产下一代高频宽记忆体HBM4芯片 运行速度超过10Gbps 远超JEDEC标准8Gbps [2] - HBM4采用2048个输入/输出端子 频宽翻倍 具备全新电源管理和RAS功能 [2] - 采用先进MR-MUF堆叠方法和第五代1b 10纳米制程技术 最大限度降低生产风险 [3] HBM4性能优势 - 与上一代产品相比能源效率提升40%以上 AI服务效能提升高达69% [3] - 解决数据瓶颈问题 降低数据中心能耗和成本 [3] - MR-MUF制程注入液态保护材料 提高散热效率 确保规模化生产稳定性 [4] 市场竞争格局 - 英伟达预计2026年下半年下一代GPU平台Rubin使用8颗SK海力士12层HBM4芯片 [2] - 美光计划2025年6月提供36GB 12层HBM4样品 2026年开始量产 [2] - 三星仍在努力使HBM3e堆叠获得英伟达验证 HBM4需更多时间突破 [3] 行业前景与定价 - 分析师预测HBM4售价可能比上一代产品高出60%至70% [4] - 竞争对手三星和美光预计2026年后进入市场 价格可能逐渐下降 [4] - Counterpoint Research预计SK海力士2026年占据HBM市场约50%占有率 [4]