Kim研究员表示，"在明年NVIDIA的Rubin即将搭载的高带宽存储器（HBM）HBM4中，三星电子有 望在竞争对手中占据优势地位"，并解释道，"三星电子的HBM4采用1c DRAM和4纳米（纳米·1纳米 =十亿分之一米）逻辑芯片（HBM底层的大脑芯片），有望在供应商中实现最高性能（11Gbps）， 同时满足NVIDIA对更高性能和更大容量的规格要求。" 他补充道："通过NVIDIA最终质量测试的12层HBM3E的供应可见性以及新HBM4供应可能性的扩大 将在全球HBM市场中起到强有力的参考作用，从而导致AMD、博通、亚马逊和谷歌等大型科技公司 的HBM供应量同时激增。" Kim研究员预测，三星电子在本轮周期中的业绩和股价走势将与以往有所不同。他解释道："除了明 年新的HBM扩产计划外，在通用存储器产能扩张有限的情况下，存储器需求正从AI数据中心向服务 器 DRAM 、 第 七 代 图 形 DRAM （ GDDR7 ） 、 最 新 的 低 功 耗 DRAM （ LPDDR5X ） 以 及 固 态 硬 盘 （eSSD）等方向多元化发展。此外，NVIDIA HBM3E 12层存储器质量测试的通过，以及基于1c ...