行业核心观点 - 由AI计算驱动的高性能内存巨大需求正推动存储行业进入结构性增长阶段 市场迎来“内存饥渴”趋势 [1][2] - DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期” [1][3] - 到2027年 全球存储市场规模预计将达到近3000亿美元 [1][2][8] DRAM市场前景 - 高带宽内存（HBM）是此轮周期的核心驱动力 其影响已迅速扩展至传统DRAM [2] - 到2027年 HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43% 有效平滑传统DRAM价格的周期性波动 [3] - 预计到2027年 仅AI相关应用就将占据DRAM市场总体有效市场规模（TAM）的53% [8] - 用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组和用于Rubin GPU的GDDR7显存将成为DRAM需求的新增长点 [7] HBM市场动态 - 即使在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价 但由于下一代HBM4将享有约35%的溢价 混合HBM平均售价在2026年仍不太可能下降 [3] - 竞争格局方面 SK海力士在HBM4竞赛中处于领先地位 有望占据超过60%的市场份额 三星电子和美光或将争夺剩余订单 [5] NAND市场复苏 - NAND闪存市场经历强劲反弹 部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺 部分近线HDD交付周期长达52周 迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD） [2][9] - AI模型从训练转向推理应用 对数据读取速度和延迟要求更高 提升了NAND的结构性重要性 [10] - NAND价格仍有上涨空间 其混合平均售价在2026财年预计将同比增长7% [10] 市场规模与资本支出 - 摩根大通将2025至2026年全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24% [2][8] - 为应对需求激增 存储芯片制造商预计将在2026至2027年将资本支出（Capex）提高7%至12% DRAM产能扩张是优先事项 [8]