公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 碳化硅 (SiC) 因其比硅 (Si) 具有更高的击穿场强和更大的带隙，作为下一代功率半导体材 料，尤其在高温高压应用领域，SiC正受到越来越多的关注。自 2000 年代以来，SiC 功率器 件的研究和开发也取得了显著进展。 日前，京都大学工程研究生院的木本恒信教授就SiC迄今为止的研究开发、在功率器件中实 际应用的途径以及进一步利用的未来挑战等进行了分享。 碳化硅过去20年进步明显 特斯拉是市场扩张的催化剂 对于SiC产业，2001年是第一个转折点。那是值得纪念的一年，英飞凌科技公司（以下简称"英飞 凌"）在全球率先开始小规模量产SiC二极管。然而，当时SiC二极管的用途仅限于高端服务器的部 分电源，市场规模也只有5000万元左右。 下一个划时代的产品出现在2010年，当年，Cree（现Wolfspeed）和ROHM成功实现了SiC晶体管 的量产。这无疑是个重大新闻，但当时的市场规模仅为2.5亿人民币左右，与整个功率器件市场的 规模相比几乎为零。 2018年，特斯拉在其电动汽车（EV）中采用了意法半导体的SiC功率器件，市场迅速扩张。众所 周知，SiC的性能优 ...