存储芯片,大反转?
半导体行业观察·2025-10-04 10:14

市场现状与价格趋势 - 固态硬盘、动态随机存取内存和机械硬盘价格正快速攀升,市场格局为多年来最紧张 [3] - 行业普遍警告NAND闪存与DRAM内存即将出现短缺,未来数月乃至数年价格将大幅飙升,部分机构预测短缺可能持续十年 [3] - 2023年固态硬盘价格曾暴跌至历史最低点,但2024年形势彻底逆转,NAND闪存与DRAM内存价格双双开启上涨通道 [3] - 2024年初,西部数据2TB Black SN850X固态硬盘售价突破150美元,三星990 Pro 2TB固态硬盘价格从约120美元飙升至175美元以上 [5] - 预测2025年第三季度消费级DDR4内存价格将环比上涨38%-43%,服务器级DDR4内存价格环比上涨28%-33% [6] - 西部数据在2024年4月因供应有限将机械硬盘价格上调5%-10% [6] - 树莓派受内存成本上涨影响,计划在2025年10月上调产品价格,其首席执行官指出当前内存成本较一年前上涨了约120% [8] 供需关系与市场周期 - 当前供应紧缩为全行业范围,覆盖消费级固态硬盘、DDR4内存套装、企业级存储阵列和大容量机械硬盘出货量等所有品类 [4] - 2022年至2023年初行业低迷期导致内存制造商大幅减产,到2023年下半年,512Gb TLC NAND闪存芯片现货价格在六个月内上涨超100% [4] - 人工智能数据中心的巨大需求是本次短缺的核心驱动力,已开始占据全球内存与闪存产能的主导地位 [3][6] - OpenAI的Stargate项目每月采购多达90万片DRAM晶圆,占全球DRAM内存产量的近40% [7] - 高密度NAND闪存产品已提前数月售罄,三星下一代V9 NAND闪存尚未发布订单已几乎满额,美光科技2026年底前的高带宽内存产量也已几乎全部预售完毕 [7] 制造商策略与投资转移 - 内存制造商已将资本支出转向高带宽内存与先进制程节点,美光2026年的全部高带宽内存产量已被预订 [9] - 每一片用于生产高带宽内存的晶圆都意味着少一片用于生产DRAM的晶圆,NAND闪存制造商的研发精力与产能正集中于面向企业客户的3D QLC NAND闪存 [9] - 群联电子首席执行官认为资本支出转向将导致未来十年供应持续紧张,NAND闪存明年将面临严重短缺 [9] - 投资转移加剧了主流产品供应紧张,DDR4内存减产速度超过需求下降速度,TLC NAND闪存面临配额限制 [10] - 制造商选择以更高利润出售现有供应,而非承担再次崩盘的风险,策略短期内恐难改变 [12][13] 技术转型与供应链挑战 - 下一代显卡转向GDDR7显存导致GDDR6内存供应缺口扩大,价格上涨约30% [6] - NAND闪存与机械硬盘首次同时面临供应限制,打破了以往"此涨彼跌"的历史规律 [10] - 训练大型AI模型需要处理PB级数据,其中"温数据"存储需求已高到大容量机械硬盘的交货周期延长至一年以上 [10] - 近线机械硬盘短缺迫使部分超大规模数据中心运营商加速部署QLC闪存阵列,将需求压力传导至NAND闪存供应链 [10] - 新建内存晶圆厂造价高达数百亿美元且需要数年时间才能实现量产,设备供应商如阿斯麦和应用材料本身面临严重的订单积压 [11] - 机械硬盘依赖钕磁铁,而中国主导全球稀土材料生产并已将限制磁铁供应作为贸易反制措施之一 [11]