文章核心观点 - 三井金属计划于2026至2027年开始量产用于尖端半导体的“负热膨胀材料” 该材料遇热收缩 能有效抑制半导体封装因加热导致的膨胀 从而防止封装开裂或变形 旨在应对AI发展带来的急剧增长的半导体需求 [2] - 三井金属的负热膨胀材料可实现最大约7倍于其他厂商材料的收缩率 有望取代现有的低热膨胀材料 同时具备封装所需的绝缘性能 [2][6] 行业背景与挑战 - 在提升半导体性能过程中 不仅需要电路微细化 还需将多个芯片高密度集成到基板上 这会使半导体尺寸增大 封装材料在受热影响下更容易出现开裂和变形 [4] - 为实现尖端半导体的稳定供应 材料方面需要采取相应对策 [4] - 此前半导体封装领域一直使用球状二氧化硅等“低热膨胀材料” 但即便混入此类材料 封装也会产生轻微膨胀 [2][5] 公司技术与产品进展 - 三井金属将量产的是一种名为“负热膨胀材料”的化合物 [5] - 公司已基本完成将该化合物混入封装材料中以抑制树脂热膨胀的技术开发 目前正等待封装材料制造商的认证 [5] - 若进展顺利 最快将于2026年在福冈县大牟田市的工厂开始生产 [5] - 该材料通过混合到英伟达等公司GPU使用的封装材料中 可以抵消热膨胀 [2]