HBM4性能标准提升的背景 - NVIDIA决定提高第六代高带宽内存HBM4的运行速度标准，是三星电子推动的结果，该公司确信其能在HBM4性能上确保优于竞争对手的优势[2] - 三星电子向NVIDIA提出，其HBM4运行速度可以超越国际半导体标准化组织JEDEC的标准，尽管在首批样品交付方面落后于SK海力士和美光[2] - SK海力士和美光交付的最终样品符合NVIDIA提高后的速度标准，但对这一要求感到吃惊，因他们未预料到NVIDIA会大幅提高速度，通常HBM的散热问题比运行速度更重要[2] 三星电子的HBM4技术战略 - 三星电子将未来押注于HBM4，其内置的DRAM将采用第六代1c工艺，即10纳米级工艺，领先竞争对手一代[3] - 作为HBM4大脑的"逻辑芯片"将采用三星代工厂的4nm工艺，而SK海力士采用台积电的12nm工艺，美光则采用其DRAM工艺[3] - 公司正展现出通过应用先进工艺迅速打入NVIDIA供应链的坚定决心，尽管在开发和量产方面投入的成本巨大[3] - 三星电子积极将1c DRAM工艺应用于HBM4项目以稳定其技术能力，1c DRAM市场预计最早将于明年开放[3] 三星电子的生产与市场策略 - 三星电子在设备投资方面处于领先地位，已抢先建立能够立即响应市场需求的量产系统[3] - 该系统旨在执行"向市场大量供应"的战略，并确保价格竞争优势，这让人想起该公司在DRAM市场占据主导地位时的策略[3] - 预计DRAM市场明年将进入供不应求的"繁荣期"，三星电子加速下一代产品的商业化进程或许是一个机遇[3] HBM4面临的验证与风险 - 在NVIDIA系统上安装HBM4进行样品验证的过程仍然存在，HBM4将安装在NVIDIA的Rubin平台上进行最终测试[4] - 最终测试阶段可能会出现意想不到的质量问题，如果质量测试因此而推迟，迄今为止的大规模投资可能会适得其反[4] - 在HBM3E尝到失败的滋味并进行了大胆的冒险之后，三星电子现在必须用HBM4的最终成果来回报股东的期望[4]