文章核心观点 - 全球半导体行业已进入新的超级周期，预计至少持续到2027年 [1][2] - 本轮超级周期由AI、数据中心和自动驾驶等新需求驱动，与过去由IT和移动设备驱动的周期存在结构性差异 [1][4] - 高性能、高附加值存储器（如HBM）和代工厂竞争成为新周期的核心特征 [1][5] - 三星电子等存储器半导体巨头有望成为本轮超级周期的最大受益者 [2][5] 半导体超级周期的四大迹象 - AI计算数据中心大规模建设带动AI加速器需求快速增长，进而推动HBM需求，使三星电子和SK海力士受益 [2] - 全球半导体公司将DRAM生产线转向专用高附加值HBM生产，导致通用DRAM产量下降和供应紧张 [2] - 第三季度末全球DRAM供应商平均库存达3.3周历史最低水平，DRAM供应下降导致价格飙升 [2] - 9月份通用PC DRAM（DDR4 8Gb）平均合约价格为6.30美元，环比上涨10.5%，为六年零八个月来首次超过6美元 [2] - AI向推理领域扩展导致数据收集存储需求增加，推动企业级SSD销量增长 [2] - 中国内存公司在尖端DRAM领域尚未赶上韩国公司，在转向HBM后无法提高产量，加剧供应紧张 [2] 结构性不同的超级周期 - 本轮超级周期由大型科技公司对AI的投资驱动，而非过去的智能手机和PC需求 [4] - 用于AI计算的大型数据中心、高性能计算和自动驾驶半导体将引领市场，物联网、移动设备和家用电器半导体形成支撑 [4] - 市场焦点从通用DRAM和NAND闪存转向用于AI加速器的高性能、高附加值、高利润的高端存储产品（如HBM） [5] - 由AI和HBM定制订单增长驱动的结构性变化正在削弱行业传统的周期性波动，预示着“非周期性”趋势出现 [5] - 一个AI数据中心的投资决策，将产生与数百万至数千万部智能手机需求激增类似的效果 [5] 三星电子的市场地位与前景 - 三星电子第三季度销售额创历史新高，营业利润超出市场预期 [1] - 三星电子通过了NVIDIA的HBM3E质量测试，并在下一代HBM4供应竞争中与SK海力士媲美 [2] - 得益于收购AMD等多元化客户，三星电子低迷的HBM出货量预计将回升 [2] - 预计到2026年，三星电子将在三大DRAM公司中创下最高增长率 [2] - 三星电子第三季度重夺内存市场龙头地位，销售额达194亿美元，超过SK海力士的175亿美元 [5] - 预计到2026年，三星电子将占据整个行业DRAM产量的32%和NAND闪存产量的30% [5] - 韩国投资证券公司将三星电子2026年的营业利润预期上调36%，至73万亿韩元 [5]