HBM4E技术规划 - 三星电子计划于2027年量产的第七代高带宽内存HBM4E目标带宽超过3TB/s，最高可达3.25TB/s [1] - HBM4E的每引脚速度目标提升至13Gbps以上，带宽是当前第五代HBM3E的2.5倍 [1] - HBM4E的能效目标是当前HBM3E（每比特3.9皮焦）的两倍以上 [1] HBM4E研发进展与竞争态势 - 三星电子在2025年国际固态电路会议上最初公布的HBM4E目标带宽为2.5TB/s（每引脚10Gbps），后于2025年开放计算项目全球峰会将目标提升25%至3.25TB/s [2][1] - 三星电子是三家内存制造商中首家提出超过3TB/s带宽目标的企业 [3] - 公司从HBM4研发初期就瞄准了比其他公司更高的带宽，旨在实现战略逆转 [3] HBM4技术规格与客户需求 - 根据JEDEC规范，HBM4的每引脚带宽为8Gbps，总带宽为2TB/s [2] - 英伟达要求内存制造商将HBM4的每引脚速度提升至10Gbps以上，以用于其下一代AI加速器"Vera Rubin" [2] - 三星电子将HBM4的引脚速度提升至11Gbps，SK海力士也实现了相应速度，美光已交付带宽为11Gbps的HBM4样品 [2] LPDDR6产品规格 - 三星电子介绍了下一代移动DRAM LPDDR6的规格，计划实现每引脚10.7Gbps的速度，总带宽达114.1GB/s [3] - LPDDR6的能效较现有LPDDR5X提升20% [3] 代工业务进展 - 三星电子暗示计划于今年年底量产的2纳米工艺（SF2）已完成进度 [4] - 公司与AI芯片初创企业Rebellions合作，其REBEL-Quad NPU将采用三星4纳米工艺生产，新增的CPU将采用2纳米工艺生产 [4] - 采用2纳米工艺制造的REBEL-CPU目标运行频率为3.5-4.0GHz，有望超过英伟达采用台积电4纳米工艺制造的"Grace" CPU的最高速度3.44GHz [4]