三星内存,重大升级
半导体芯闻·2025-10-15 18:47
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 在代工业务方面,三星暗示了计划于今年年底量产的 2 纳米(nm)工艺(SF2)的完成进度。三 星电子还介绍了与韩国本土 AI 芯片初创企业 Rebellions 正在进行的代工合作。Rebellions 正开 发 REBEL-CPU,该产品将 ARM Neoverse v3 CPU 与其下一代芯片 REBEL-Quad 相结合。其 中,REBEL-Quad 神经网络处理器(NPU)将采用三星电子的 4 纳米(SF4X)工艺生产,而新 增的 CPU 则将采用 2 纳米工艺生产。 三星电子宣布,目前处于研发阶段的 REBEL-CPU "进展符合计划",目标运行频率为 3.5-4.0 吉 赫兹(GHz)。英伟达采用 Neoverse v2 架构和台积电 4 纳米工艺制造的 "Grace" CPU,最高运 行速度为 3.44GHz。这意味着采用三星电子下一代 2 纳米工艺制造的芯片,有望实现更高的最高 运行速度。 来源: 内容 编译自 businesskorea 。 三 星 电 子 为 其 计 划 于 2027 年 量 产 的 第 七 代 高 带 宽 内 存 ( HBM4E ...