公司概况与融资信息 - Vertical Semiconductor Inc 是一家从麻省理工学院 Palacios Group 分拆出来的初创公司 [1] - 公司完成1100万美元种子轮融资，由Playground Global领投，Jimco Technology Ventures、Milemark-Capital和Shin-etsu等公司跟投 [1] - 融资将用于帮助公司在今年年底前开始为早期客户提供封装器件样品 [3] 核心技术：垂直氮化镓晶体管 - 公司技术颠覆传统概念，设计出基于氮化镓的芯片，其中晶体管垂直堆叠而非横向堆叠 [1] - 垂直结构允许电流流过晶体管的更多部分，从而提升性能，并支持更高的电压 [1] - 与横向设计相比，垂直结构能够实现更好的散热，并更有效地应对电涌，利用“雪崩”自我保护机制在电压尖峰期间继续工作 [2] - 该技术已使用标准互补金属氧化物半导体制造方法在八英寸晶圆上展示，证明可以无缝集成到现有数据中心 [3] 技术优势与应用前景 - 氮化镓晶体管效率高，开关速度更快，能够在比传统硅晶体管更高的温度和电压下工作 [1] - 垂直氮化镓技术将能量转换推向更靠近芯片的位置，使其能够以更少的能量和热量进行更多计算 [2] - 该技术可以减少能量损失和因电涌导致的突然关机，同时使数据中心的运行温度更低 [2] - 据称可以将数据中心的效率提高高达30%，同时将功耗降低一半 [2] - 该技术旨在解决人工智能数据中心的电力输送瓶颈问题，为更先进的AI工作负载提供足够功率 [1][2] 发展路线与行业评价 - 公司垂直氮化镓晶体管原型已在开发中，计划在2026年底前推出完全集成的解决方案 [3] - 投资方Playground Global认为Vertical破解了如何提供高压、高效的电力电子器件并实现可扩展、可制造的解决方案这一行业难题 [3] - 该技术不仅推动了科学进步，还改变了计算的经济性 [3]