SK海力士是全球首家于今年9月建立HBM4量产系统的公司，并采用1b DRAM作为其HBM4"核心芯 片"。而三星电子则采用了下一代1c DRAM。作为一家寻求大幅转型的后来者，三星电子做出的这一 决定理论上可以实现更快、更节能的产品。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源： 内容编译自chosun 。 据韩媒chosun报道，三星电子正在考虑解散其致力于提高其10纳米级第六代（1c）DRAM良率的特 别工作组（TF），该DRAM将用于下一代高带宽存储器（HBM4）。此举源于该公司决心在年内优 先为英伟达量产HBM4。 10nm级DRAM制程技术的发展顺序为：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四 代）、1b（第五代）。随着第六代（1c）制程的推进，线宽进一步变窄，制程难度呈指数级增长，容 量和性能也随之提升。 据熟悉三星电子内部事务的消息人士15日透露，该公司正在认真考虑解散致力于提高1c DRAM良率 的专项小组，转而专注于年内量产HBM4。管理层决定迅速进入NVIDIA供应链，即使良率无法立即 获得，也要抢先确保市场份额，这是关键因素。 该工作组由内存部门的核心人员组 ...