三星电子HBM4战略调整 - 三星电子正考虑解散其致力于提高10纳米级第六代（1c）DRAM良率的特别工作组，该工作组拥有400至500名员工 [1] - 此举旨在优先确保在年内为英伟达量产HBM4，即使1c DRAM良率未达标也要抢先进入英伟达供应链 [1][3] - 公司已跳过原计划在第三季度完成的HBM4用1c DRAM内部生产授权流程，直接转向建立量产系统 [1] HBM4技术路径与竞争格局 - 三星电子在HBM4中采用了更先进的下一代1c DRAM，而竞争对手SK海力士则采用第五代1b DRAM，理论上可使产品更快、更节能 [2] - 用于HBM4的1c DRAM在冷测试中良率未能达到50%，距离通常被视为量产标准的60%良率尚有差距 [2] - 今年第二季度，SK海力士占据HBM市场62%份额，美光占21%，三星电子以17%的份额首次跌至第三位 [3] 未来产品规划与技术目标 - 三星电子已将其第七代高带宽存储器HBM4E的目标带宽设定为每秒3TB以上，计划于2027年实现量产 [5] - HBM4E目标引脚速度超过13Gbps，最高带宽可达3.25TB/s，是当前HBM3E的2.5倍，能效将是HBM3E的两倍以上 [5] - 为应对英伟达要求，三星已将HBM4的针脚速度从标准8Gbps提升至11Gbps [6] 其他业务进展 - 三星电子介绍了其首款LPDDR6产品的具体规格，计划实现114.1 GB/s的带宽，每引脚10.7Gbps，与LPDDR5X相比功率效率提高20% [7] - 在晶圆代工方面，三星暗示其2纳米工艺按计划进行，与Rebellions合作开发的芯片组目标频率为3.5-4.0GHz [8]