英伟达Blackwell芯片进展 - 英伟达最新一代AI芯片Blackwell的首片晶圆在台积电美国亚利桑那州工厂下线，标志着该芯片正式在美国本土进入量产阶段[3] - Blackwell芯片采用台积电4NP工艺制造，拥有2080亿个晶体管，是其前代Hopper芯片（800亿个晶体管）的2.5倍以上[5] - 芯片配备192GB HBM3E显存并支持第五代NVLink技术，提供1.8TB/s双向带宽，引入了FP4精度、第二代Transformer引擎等突破性创新[5] Blackwell芯片性能与市场 - Blackwell芯片可为大模型推理负载提供30倍性能提升，同时成本和能耗降低25倍，在推理模型中的表现是Hopper的40倍[5][6] - 2024年全球前四云服务提供商采购了130万片Hopper架构芯片，而2025年它们又购买了360万片Blackwell芯片[6] - 公司正在全力生产Blackwell，并计划在下半年过渡到增强版本Blackwell Ultra，预计2025年推出[6] 台积电美国工厂规划 - 台积电在亚利桑那州凤凰城建设的半导体制造基地计划建设六座先进制程晶圆厂和两座先进封装厂，构成一个超大型晶圆厂聚落[6] - 工厂短期发展分为三个阶段：第一阶段预计2025年投产4nm/5nm芯片，第二阶段在2027或2028年生产3nm或2nm芯片，第三阶段计划在本世纪末或下十年初完工[6][7] - 台积电预计为亚利桑那州工厂的三个开发阶段总计投入约650亿美元，未来将生产2纳米、3纳米、4纳米制程芯片以及A16芯片[7] 行业趋势与展望 - 预计到2028年，数据中心建设支出将达到1万亿美元[6] - 英伟达计划以"一年一更"的节奏快速迭代其AI芯片架构[6] - 台积电美国工厂生产的先进技术对人工智能、电信和高性能计算等前沿应用的发展至关重要[7]