公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 通常，芯片制造过程需要几百摄氏度的高温，这可能会在添加新层时损坏底层结构。而KAUST团队 的制程中，所有步骤的温度均未超过150°C，大部分工序甚至在室温下完成。 此外，层与层之间的表面必须尽可能平整。该团队在新设计中优化了制程，使表面比以往工艺更加光 滑。对于垂直堆叠，层间还需精准对齐以确保最佳连接，研究人员在这一环节也实现了显著改进。 论文第一作者、博士后研究员萨拉瓦南·尤瓦拉贾（Saravanan Yuvaraja）表示："芯片设计的核心， 就是在更小的空间内实现更强的性能。通过对多个制造步骤的优化，我们提供了一套可行蓝图，能够 在垂直方向上扩展，并让功能密度远超当今极限。" 此 外 ， KAUST 教 授 马 丁 · 希 尼 （ Martin Heeney ） 与 兼 职 教 授 托 马 斯 · 安 托 普 洛 斯 （ Thomas Anthopoulos）也参与了该研究。 来 源： 内容来自 techxplore 。 沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）的研究团队在芯片设计领域创下纪录，成功实现了全 球首个六层堆叠式混合CMOS（互补金属氧化 ...