三星电子HBM4业务进展 - 公司即将对英伟达第六代高带宽内存HBM4进行最终质量测试，存储事业部和代工事业部正协同合作以建立稳定生产体系[1] - 代工事业部正扩大逻辑芯片晶圆投入量并将良率提升至最大水平，以配合大幅增加的HBM4产量[1] - 从HBM4开始，逻辑芯片将采用先进制程，该部件是连接DRAM与GPU的控制器，负责电力供应和数据信号控制，为核心部件[2] 三星电子代工工艺能力 - 公司代工事业部生产的4纳米工艺逻辑芯片良率已超过90%，表明技术已稳定到足以进行大规模量产[2] - 代工事业部将逻辑芯片产量提升至整个4纳米生产线产能的一半水平，并在全力运转以支持HBM4样品供应和量产[2] - 公司代工事业部4纳米整体工艺良率超过80%，逻辑芯片良率在年初试生产阶段就超过40%，表现出稳定态势[3] - 与竞争对手相比，公司在HBM4逻辑芯片上采用了更先进的4纳米工艺，而SK海力士使用台积电12纳米级工艺，美光采用自家12纳米级DRAM工艺[3] HBM技术发展趋势 - 随着HBM代际更替，性能要求不断提高且发热问题愈加严重，因此行业从HBM4开始在其核心逻辑芯片上引入先进制程[3] - 半导体工艺越微细化，性能越高，功率效率也越好[3] - 从第七代HBM（HBM4E）开始，"定制化HBM"时代预计将正式开启，需根据客户AI半导体应用进行优化开发[3] - 在下一代HBM市场中，代工工艺技术力的重要性将更加凸显，需具备根据多样化需求进行生产的能力[3][4]