如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源： 内 容 编译自 zdnet 。 三星电子计划在 NAND 闪存中引入FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺。这意味着公司希望开发出 更大容量、适用于 AI（人工智能）芯片组的高性能 NAND 闪存。不过，业内预计，这一技术距 离实际应用仍需要一段时间。 参考链接 https://zdnet.co.kr/view/?no=20251022154842 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 推荐阅读 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 宋在赫表示："如今我们正聚焦于在有限的晶体管堆叠面积上，实现客户所要求的性能与功耗水平 的技术创新。" 而此次 在 NAND 闪存中引入 FinFET 工艺 的宣布，是首次公开提出。如果 FinFET 工艺应用于 NAND，将大幅提升与现有存储器相比的集成度。在半导体中，集成度越高，意味着单位面积可容 纳的元件越多，性 ...