三星电子技术规划 - 三星电子计划在NAND闪存中引入FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺[1] - 该技术旨在开发更大容量、适用于AI芯片组的高性能NAND闪存[1] - 业内预计该技术距离实际应用仍需要一段时间[1] FinFET技术细节与应用 - FinFET是一种三维结构工艺技术，用于克服传统平面（2D）结构的局限，其形状类似鱼的鳍[1] - 目前FinFET主要用于晶圆代工领域，也被认为有望应用于3D DRAM[1] - 在NAND中应用FinFET是首次公开提出，此举将大幅提升与现有存储器相比的集成度[2] - 集成度越高，意味着单位面积可容纳的元件越多，性能越强，信号传输速度更快，功耗更低，芯片尺寸更小，空间利用更高效[2] - 与传统平面工艺相比，FinFET能让NAND闪存实现更大容量与更高速度[2] - 在NAND中应用FinFET意味着要让NAND尺寸更小，通过提升集成度来增加存储容量[2] 行业协作与创新 - 公司聚焦于在有限的晶体管堆叠面积上，实现客户所要求的性能与功耗水平的技术创新[1] - 为推动此类技术创新，半导体产业之间必须深化协作，以减少对多样化半导体技术的不必要资源消耗[2] - 技术复杂度正在急剧提升，过去可能由10个部门完成的工作，现在必须由20个甚至30个部门协同才能实现[2] - 公司将通过跨越边界的协作来实现真正的创新[2]