台积电的技术路线决策 - 公司决定放弃采购单价高达4亿美元的ASML高数值孔径EUV光刻机 [1] - 公司选择采用"光掩模护膜"技术作为替代方案，以推进其2纳米等先进制程 [3] - 该决策的核心考量在于成本，认为设备带来的价值与其高昂价格不匹配 [4] 光掩模护膜技术概况 - 该技术主要功能是保护光罩免受尘埃污染，提升良率与使用寿命 [4] - 关键技术指标包括透光率、膜厚控制、热稳定性和机械强度 [4] - 该技术是先进制程光罩良率的关键环节，影响芯片缺陷率与制程稳定性 [4] 替代方案的技术挑战 - 使用标准EUV光刻机生产1.4纳米和1纳米芯片需要进行更多次曝光 [5] - 更多次曝光将导致光掩模使用频率大幅增加，可能拖慢生产节奏并对良率构成风险 [5] - 公司需要通过大量"试错"来优化生产的可靠性 [5] 设备采购的产能考量 - ASML每年仅能生产五到六台高数值孔径EUV设备 [5] - 公司为满足苹果等大客户需求，需要采购多达30台标准EUV光刻机 [5] - 将巨额资金投入到少数几台设备上，不符合公司的长期产能规划 [5]