存储芯片价格趋势 - 主要内存供应商计划在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30% [1] - 第四季度DRAM平均售价预计将上涨25-26%，较上一季度涨幅超过10% [1] - 存储模组大厂威刚董事长判断第四季度是存储严重缺货的起点，明年产业将继续处于供货吃紧状态 [1] 市场需求驱动因素 - AI和高性能计算需求爆发是推动存储芯片进入超级周期的核心原因 [3] - 科技巨头计划在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [3] - HBM需求激增是DRAM供应紧张的关键推动力，因其消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多 [3] 供应链与厂商策略 - 国际电子和服务器公司因担心DRAM短缺正在囤积内存，并与主要供应商洽谈2至3年长期供应协议 [2] - 存储厂商优先布局HBM相关先进封测领域，三星加紧推进HBM4研发并计划量产 [3] - 上市公司佰维存储的晶圆级先进封测项目处于投产准备中，并加紧产能扩建 [3] 未来展望与产品预测 - 2025年HBM平均销售单价预计同比上涨20.8%至1.80美元/Gb [3] - 机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比HBM3e高出60%以上 [3] - 有研报看好存储大周期，预计2025年第四季度涨价趋势持续 [4] - 随着AI投资从训练转向推理，非HBM内存芯片的盈利能力在明年可能超越HBM [4]