存储芯片价格趋势 - 三星电子、SK海力士等主要内存供应商计划在2023年第四季度继续上调存储产品报价，包括DRAM和NAND在内的产品价格上调幅度高达30% [1] - 高带宽内存（HBM）产线的虹吸效应导致通用DRAM产能更为紧张，因为HBM单位晶圆占用面积是标准DRAM的约3倍，这将进一步推动价格上涨 [3] - 第六代HBM（12层HBM4）预计在明年正式交付，单价约为500美元，相比同层级的HBM3e（约300美元）有显著提升，利润空间扩大 [3] AI驱动的行业周期与需求 - 由人工智能推动的当前存储“超景气”周期预计可能持续3至4年，市场普遍预计此次由AI驱动的供应短缺将比以往任何繁荣周期更长、更强 [3] - 除了AI训练需求外，AI推理与端侧AI设备的兴起也在同步推升对通用DRAM的需求 [3] - 此轮周期的驱动因素包括价值数百万亿韩元的新增AI服务器投资、通用服务器的持续内存升级以及端侧AI设备需求的崛起 [3] 供应链动态与客户策略 - 由于对供应短缺的担忧加剧，部分美国电子公司和数据中心运营商正与三星电子和SK海力士洽谈长达2至3年的中长期供应合同，这是一种罕见行动 [3]