技术突破 - 北京大学彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术首次原位解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为[1] - 该技术合成出分辨率优于5纳米的微观三维全景照片克服传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点[1] - 研究成果指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案相关论文发表于《自然·通讯》[1] 行业影响 - 光刻胶在显影液中的微观行为长期是黑匣子工业界工艺优化依赖反复试错制约7纳米及以下先进制程良率提升[1] - 显影是光刻核心步骤通过显影液溶解光刻胶曝光区域将电路图案精确转移到硅片直接影响芯片良率[1] - 深入掌握液体中聚合物结构与微观行为可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升[2]