存储芯片行业周期与现状 - 全球DRAM现货价格大幅上涨，截至10月21日，DDR4(16Gb)现货平均价上涨484%至18.63美元 [2] - AI蓬勃发展引发"存储超级循环"，行业正处新一轮上行周期前期阶段 [4][12] - 存储芯片行业呈现强周期性，约每3-4年出现一次"上升到下行"的轮替，上一轮周期于2023年9月终结 [5][6][7] - 本轮上行周期由大模型训练的强劲需求拉动，存储芯片供应紧俏 [8] 存储芯片品类与AI受益程度 - AI发展的最大瓶颈从算力转向存力，存储系统性能不足会导致算力空转 [13] - 存储芯片主要分为DRAM/HBM、NAND/SSD、NOR三大品类 [13] - 本轮周期最大受益者为HBM/DRAM，因其与处理器直接关联，是AI算力的关键协同部件 [14] - NAND、SSD等也会因AI基础设施部署受益，但程度不及DRAM/HBM [15] HBM技术特点与市场前景 - HBM是DRAM的高端变体，通过多层堆叠和先进封装实现高带宽，单位GB价格高于DRAM 20倍以上 [18] - HBM市场规模预计2026年达500亿至600亿美元，2030年潜在市场总额达1000亿美元 [18] - 存储原厂将产能转向高毛利HBM产品，同时挤压传统DRAM产能，导致DDR4涨价 [19] - 美光科技预计2026年DRAM供应形势将更为严峻，短期内难以大规模扩产 [19] 全球竞争格局与地缘政治影响 - HBM产能由美光、三星、SK海力士三巨头掌握，2025年Q2市场份额超过90% [21] - 美国向韩国施压，要求配合对华出口管制，可能限制中国获取先进HBM芯片 [21] - 中国加速存储芯片国产化，政策要求2025年关键信息基础设施国产化率超70% [23] - 政府采购对国产产品给予20%价格扣除，为国内厂商腾出发展空间 [23] A股存储公司分析 - A股存储公司市盈率显著高于海外同业，兆易创新、香农芯创、普冉股份市盈率分别为125.87、183.19、88.45 [26] - 国内存储厂商技术差距导致无法涉足HBM高附加值业务，主要依赖涨价带来的估值修复 [28] - 2025年前3季度部分公司业绩未因存储涨价提升，香农芯创归母净利润同比下滑1.36%，江波龙同比下滑97.51% [29] - A股存储公司上涨主要靠国产替代叙事逻辑和半导体板块流动性溢价驱动 [29] 美股存储公司分析 - 美光2025财年营收373.8亿美元，同比大涨48.9%，Non-GAAP净利润94.7亿美元 [36] - 美光毛利率从第三财季39%上升至第四财季46%，下季度指引收入122~128亿美元，超市场预期 [37][38] - 瑞银上调美光业绩预测，2026财年、2027财年营收有望达638亿美元、759亿美元 [38] - 美光市盈率26倍，相对英伟达51.25倍及其他科技股偏低，存在估值逻辑切换可能 [41] 投资逻辑与估值分析 - HBM作为新兴业务可获得更高估值溢价，瑞银对美光HBM业务给予6倍P/S，传统业务给予3倍P/S [40] - 若存储景气度延长，美光估值可能从周期股切换为成长股，乐观情景可给予40倍PE [41] - A股存储公司估值已透支2027年业绩预期，江波龙、兆易创新等2027年预测市盈率在40-56倍之间 [30] - 长鑫存储作为国内DRAM龙头正攻关HBM技术，其IPO进展和HBM突破值得关注 [33]