光刻技术研究突破 - 北京大学研究团队首次通过冷冻电子断层扫描技术原位解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为[2] - 该技术克服了传统方法无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点生成分辨率优于5纳米的微观三维图像[2] - 研究成果可指导开发显著减少光刻缺陷的产业化方案有望提升7纳米及以下先进制程的芯片良率[2] 光刻工艺优化意义 - 显影作为光刻核心步骤通过显影液溶解光刻胶曝光区域将电路图案精确转移到硅片上[2] - 光刻胶在显影液中的微观行为长期是黑匣子工业界工艺优化依赖反复试错制约先进制程良率提升[2] - 掌握液体中聚合物结构与微观行为可推动光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升[3] 半导体材料与设备 - 碳材料在半导体领域应用广泛包括高纯石墨、金刚石单/多晶、热沉片及培育钻石等[4] - 半导体生产设备涵盖光刻设备、刻蚀设备、离子注入设备、键合设备及各类镀膜设备[4] - 分析仪器包括XRD、SEM、TEM、拉曼光谱仪等用于材料性能测试与质量控制[4]