彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深 入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷 控制与良率提升。 来 源： 内容来自科技日报 ，作者：张盖伦，谢谢 。 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程 学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液 相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相 关论文近日刊发于《自然·通讯》。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。 光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不准、好不好，进而影响芯 片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的工艺优化只能靠反复试错， 这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。研究人员最终合成出一张分辨 率优于5纳米的微观三维"全景照片"，一举克服了 ...