光刻胶国家标准发布 - 国家标准化管理委员会近日公示三项光刻胶相关标准 包括《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》、《ArF光刻胶释气测量方法》和《ArF浸没式光刻胶小分子浸出速率测量方法》 [2] - 《ArF光刻胶释气测量方法》针对芯片行业用量最大且先进制程不可或缺的ArF光刻胶 《ArF浸没式光刻胶小分子浸出速率测量方法》则针对我国在用和在产的最先进光刻胶产品ArF浸没式光刻胶 [2] - 极紫外（EUV）光刻胶是半导体制造进入3纳米及以下节点的核心材料 其性能直接决定芯片制造的良率与制程精度 对我国集成电路产业自主可控发展具有重大战略意义 [2] EUV光刻胶测试标准内容 - 《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》将系统整合材料特性和性能参数 规范纯度、抗蚀性、线边缘粗糙度、线宽粗糙度、释气污染、粘度、颗粒度、分辨率、灵敏度和对比度等关键性能指标的测试方法 [3] - 该标准规定了极紫外光刻胶的多种测试方法 包括纯度测试、化学结构测试、抗蚀性能测试、线边缘粗糙度和线宽粗糙度测试等 [3] - 标准可通过衔接《半导体光刻胶用树脂技术规范》等国内现有标准 构建覆盖原材料-光刻胶-芯片制造的全链条标准体系 为材料研发、生产制造和晶圆厂应用提供科学评估依据 [3] EUV光刻胶标准意义 - 我国在EUV光刻胶领域国产化率基本为零 研发处于起步阶段 测试领域尚未建立统一技术规范 该标准将填补国内技术标准空白 [3] - 标准通过建立统一测试方法体系 为国内外EUV光刻胶性能评价提供客观标尺 促进我国光刻胶产业自主创新发展 [3] 异质异构集成年会 - 势银（TrendBank）联合甬江实验室将于2025年11月17-19日举办异质异构集成年会 主题为聚焦异质异构技术前沿 共赴先进封装芯征程 [4] - 会议旨在助力宁波乃至长三角地区打造先进电子信息产业高地 实现聚资源、造集群的发展目标 [4][5] - 会议围绕多材料异质异构集成、光电融合等核心技术 聚焦三维异构集成、光电共封装、晶圆级键合、晶圆级光学、半导体材料与装备、TGV与FOPLP等前沿先进封装技术 [5]