财报业绩表现 - 第三季度营收24.45万亿韩元（约合人民币1212.72亿元），同比增长39%，环比增长10% [3][4] - 第三季度营业利润11.38万亿韩元（约合人民币564.45亿元），同比增长62%，环比增长24%，创公司成立以来新高 [3][4] - 第三季度营业利润率达47%，同比提升7个百分点，环比提升6个百分点 [4] - 第三季度净利润12.60万亿韩元，同比增长119%，环比增长80% [4] HBM业务与技术进展 - 公司是全球HBM市场领导者，第二季度以62%的出货量份额位居首位，美光科技（21%）和三星电子（17%）紧随其后 [6] - 业绩增长得益于12层HBM3E和面向服务器的DDR5等高附加值产品销量增加 [4][10] - HBM4已于9月完成开发并投入量产，计划于今年第四季度开始出货，并于2026年全面扩大销售 [5][10] - 已与主要客户就2025年HBM供应完成洽谈 [5][10] - 预计2027年HBM供应将持续紧张，未来五年HBM市场年均增长率将达到30% [10] 市场需求与行业趋势 - AI基础设施投资增加推动整个存储领域需求大幅增长，AI服务器工作负载向通用服务器和边缘设备转移 [4][8] - 内存使用量呈指数级增长，DRAM（HBM、高性能DDR5）和NAND（eSSD）需求发生结构性转变 [8] - 全球DRAM bit需求预计从2025年增长17%-19%提高到2026年增长超过20% [12] - 全球NAND bit需求预计从2025年增长15%提高到2026年增长17%-19% [12] - PC级通用DRAM固定交易价格从2024年1月的1.35美元上涨至9月的6.30美元，涨幅达5倍 [12] 产能与资本开支 - 公司已为2026年锁定所有的DRAM和NAND客户需求 [7] - 提早开放M15X无尘室并开始引进生产设备，以尽早确保新产能并加速推进先进工艺转换 [7] - 2025年投资规模计划较2024年有所增加，将维持符合市场情况的最优化投资策略 [7] 各产品线运营情况 - HBM：12层HBM3E等高附加值产品群销售增加，再次刷新历史新高 [10] - DRAM：高于128GB的高容量DDR5出货量环比增加一倍以上，1cnm已实现稳定量产，计划2026年扩大产能 [11] - NAND：面向AI服务器的eSSD出现溢价，出货比重增加，计划扩大供应基于321层TLC、QLC产品 [11] 市场展望与行业周期 - 公司预计第四季度DRAM bit出货量将以低个位数环比增长，NAND bit出货量也将以低个位数环比增长 [12] - 行业正经历历史性“超级周期”，几乎所有内存半导体价格因结构性因素上涨 [12][13] - 半导体行业预计超级周期将强劲持续到至少2026年第一季度 [14] - AI技术革新推动存储器市场转变为新模式，需求扩散到所有产品领域 [12]