半导体封测行业市场前景 - 先进封装是后摩尔时代突破芯片算力瓶颈、提升系统集成效率的核心抓手[1] - 2025年全球先进封装市场预计总营收达569亿美元，同比增长9.6%，2028年将攀升至786亿美元规模[1] - 2.5D/3D封装2024-2030年复合增长率近20%，2030年全球先进封装市场规模将达830亿美元，首次超越传统封装[31] 淮安高新区产业布局 - 淮安高新区构建"设计-制造-封测-应用"半导体全链条体系，集聚荣芯半导体、纳沛斯等龙头企业[7] - 2025年上半年淮安市电子信息产业营收达413亿元，同比增长10.9%[7] - 拥有42万专业技术人才储备，本地高校年培养对口工程师超800人，项目贷最高可覆盖实际投资总额的70%[8] 硅芯科技EDA平台 - 发布3Sheng Integration 2.5D/3D先进封装EDA应用生态平台，构建架构设计-物理实现-分析仿真-测试容错-集成验证全链路工具链[12] - 核心团队自2008年起投身3D IC设计研究，是全球首批探索堆叠芯片技术的团队[12] - 平台已落地硅光AI Chiplet计算芯片、高性能HBM芯片等多个案例，实现国产Chiplet EDA全流程设计突破[12] 武汉大学热管理研究 - 高功率器件热通道长达9层，多材料界面导致热阻显著，功率密度达100-200W/cm²，逼近太阳表面水平[18] - 热界面材料TIM1需兼顾绝缘与导热，TIM2侧重高效传热，基板材料从传统PCB转向陶瓷基板乃至金刚石基板[18] - 全球金刚石散热器市场规模年增幅已超20%，热管理技术正从风冷、液冷向微通道、热可重构方向迭代[18][19] 荣芯半导体Chiplet战略 - 聚焦22-180nm特色工艺，在Chiplet领域展开三大战略布局：瞄准AI驱动"感存算一体"趋势、攻关高端CIS的D2W技术、关注多晶圆键合W2W技术[23] - 预计2029年全球CIS市场规模将接近300亿美元，通过D2W技术让客户灵活选择先进Logic工艺，降低成本并提升良率[23] - 已在宁波、淮安布局两座12英寸晶圆厂，围绕CIS、BCD、Chiplet等特色工艺构建产能与技术壁垒[23] 启晟微电子封装融合 - 聚焦金凸块制作与芯片封测，预计2026年一季度竣工投产，2024年中国先进封装市场规模约676.88亿元，2030年预计达1521.21亿元[27] - 布局金凸块、铜凸块封装等关键工艺，通过2.5D/3D封装技术助力显示驱动芯片向系统级封装演进[27] - 依托国资资金与资源优势，以技术协同、市场协同、生态协同三大维度推动先进封装与显示驱动芯片融合[28] 北方华创设备解决方案 - 先进封装设备市场2030年开支预计达300亿美元，其中混合键合、TSV刻蚀等前段工艺设备占比将达42.2%，规模126亿美元[31] - 推出刻蚀、薄膜、清洗、炉管多类核心设备，全面覆盖2.5D/3D TSV、Cu Expose、UBM/RDL等关键工艺[31] - 已面向先进封装领域提供二十余款装备，覆盖2.5D/3D TSV、Fan-out、Flip Chip等全场景[31] 康姆艾德智能检测 - 推出X-Ray检测硬件+Dragonfly AI图像分析软件一体化解决方案，覆盖根源分析、失效分析、过程控制全流程[34] - 在TSV填充工艺中可精准分析气泡形成原因，在芯片贴装环节可高效识别凸点桥连、基板裂纹等问题[34] - 研发投入占比15%，亚洲市场占比62%，检测方案已适配TSV填充、晶圆级键合、微凸点检测等关键场景[35] 华天科技创新路径 - HMatrix平台通过2.5D/3D集成、TSV、RDL等工艺，可使芯片带宽提升5倍以上、系统成本优化30%[37] - 2024年全球封测市场规模达821亿美元，中国占比超38%，但高端领域仍存短板，全球TOP10封测企业中中国台湾占比57%[37] - 已投资20亿元布局2.5D/3D封装产线，实现40μm-25μm微凸点工艺落地，未来将推进混合键合间距突破至1μm级[38] 易卜半导体封装方案 - 推出三大核心2.5D/3D封装解决方案：CoWoS系列、COORS-V/R方案、CPO光电共封方案[40] - NVIDIA GB200超节点功耗达120kW，CPO技术将光芯片与电芯片集成封装，大幅降低信号衰减与功耗[40] - 正联合新微集团生态资源攻克晶圆翘曲控制、热管理、精细间距互连等技术挑战[41] 元夫半导体减薄切割 - 推出减薄-切割-检测一体化整体解决方案，减薄环节晶圆厚度偏差控制在±1μm内，切割道宽度最小可至20μm[45] - 方案已为HBM存储芯片堆叠提供超薄晶圆减薄支持，助力客户提升封装良率15%以上、降低单位工艺成本8%[45] - 针对更大尺寸晶圆、更薄厚度需求持续优化工艺，夯实先进封装基石[45] 安牧泉智能3D-SiP技术 - 3D-SiP成为超越摩尔的关键路径，2.5D/3D封装已成为高端AI芯片主流技术选择[48] - 具备FC-SiP全流程服务能力，可承接≥30×30mm大芯片封装，良率超99.8%[49] - 未来将深化3D-SiP技术迭代，联动产业链上下游构建国产化封装生态[49] 通富微电技术趋势 - 2025年先进封装销售额将首次超越传统封装，虽仅占封装总量7.4%，却贡献48%的销售额[52] - 凸点间距从传统FC的20μm级迈向Hybrid Bonding的1μm级，CPO技术预计2026年国内迎来量产[52] - 散热技术从传统有机硅脂转向金属盖、VC、液冷方案，AI算力中心液冷应用显著增加[53] 迈为技术装备突破 - 2025年全球先进封装市场规模将达400亿美元，2028年预计增至786亿美元，年复合增长率9%[56] - 研抛一体机实现8/12寸晶圆减薄至30μm，TTV控制精度达±2.5μm，混合键合设备对位精度达30nm[56] - 突破高精度气浮轴承技术、高精度运动平台技术等多项卡脖子难题，形成核心部件+整机集成+耗材全链条能力[57] 埃芯半导体量检测设备 - 构建光学+X射线双技术路线，AI-XV200实现先进封装2D/3D缺陷检测，AX-TArray以<15μm微焦斑支持微凸块组分测量[60] - HYC-R100覆盖厚硅（≤200μm）、TSV形貌、DTI工艺量测，HYI-300UR可集成于CMP机台实现晶圆减薄实时厚硅量测[60] - 设备已服务国内一线晶圆厂，解决微凸块组分、TSV空洞、厚硅量测等卡脖子问题[61] 中国电科58所SOW技术 - 实现直径≤30μm、节距≤60μm的高密度铜柱凸点，开发出翘曲可控的12英寸高密度有机基板，晶圆翘曲控制在8.28mm以内[64] - 完成12英寸晶圆上117颗芯粒的集成设计，芯粒间最高传输速率6.25Gbps，单计算簇带宽达50Gbps[64] - 未来将聚焦PI/Cu混合键合技术，目标实现焊盘直径<5μm、节距<10μm、对准精度<500nm的低温键合[65]