25Q3财务业绩 - 25Q3收入创历史新高，达24.45万亿韩元，同比增长39%，环比增长10% [2] - 25Q3毛利率为57%，同比提升5个百分点，环比提升3个百分点；净利率为52%，同比提升6个百分点，环比大幅提升21个百分点 [2] - DRAM业务收入19.07万亿韩元，同比增长57.3%，环比增长11.4%，出货量环比高个位数增长且超指引预期，ASP实现中个位数百分比增长 [2] - NAND业务收入4.89万亿韩元，同比微降0.6%，环比增长4.7%，出货量环比下降中个位数百分比，ASP上涨低十位数百分比 [2] - 经营利润11.4万亿韩元，环比增长24%，同比增长62%；净利润12.6万亿韩元，净利润率52%刷新历史峰值 [11] - 期末现金及现金等价物27.9万亿韩元，环比增加10.9万亿韩元；净现金头寸为3.8万亿韩元 [11] 市场展望与需求预测 - AI推理存储用量指数级上升，拉动HBM、DDR5及企业级SSD需求，头部AI企业投资合作推动全品类存储需求增长 [3][12] - 预计明年服务器整体出货量增长10%以上；智能手机与PC市场预计温和增长，AI功能渗透至中低端手机，AI PC预计占PC市场一半份额 [3][13] - 预计DRAM需求增速从今年的高十位数百分比提升至明年20%以上；NAND需求增速从今年的中十位数百分比提升至明年高十位数百分比 [4][13] - 公司已锁定2026年HBM、DRAM与NAND客户需求，明年产能基本售罄 [4][21] HBM业务进展与展望 - 已完成2026年主要客户HBM供应谈判，定价确定在能维持当前盈利能力的水平 [4][16] - 9月完成HBM4研发与量产准备，2025Q4启动出货，2026年扩大产能以巩固市场领导地位 [4][14] - 指引2027年公司HBM仍供不应求；未来五年HBM市场复合增速超30%以上 [4][16][27] - HBM4的输入/输出接口数量为2048个，是HBM3E的两倍，公司已能满足客户提出的顶级规格要求 [17] 技术与产品规划 - DRAM计划在服务器、移动、图形等领域构建基于1C纳米制程的完整产品线；1C制程量产顺利，2026年加速制程迁移 [4][14] - 预计到2026年底，1C纳米制程将占据韩国境内传统DRAM产能的一半以上 [23] - NAND领域将扩大TLC、QLC供应，加速321层NAND产能爬坡，预计321层产品占据NAND位元产量一半以上 [4][23] - 企业级SSD需求受AI推理和RAG架构推动，高性能TLC和高密度QLC企业级SSD存储需求预计将持续增长 [19][20] 产能与资本支出 - 提前启用M15X工厂洁净室并启动设备安装以新增HBM产能；加速传统DRAM与NAND现有产能向先进制程迁移 [5][15] - 2026年资本支出预计高于2025年，将在维持资本支出纪律前提下规划投资 [5][22] - 推进Yongin第一工厂建设及美国印第安纳州先进封装工厂筹备，以灵活响应增长需求 [15][26] 行业周期与库存状况 - 当前周期与2017-2018年超级周期存在差异，驱动力来自AI范式转型催生的更广泛应用场景，AI正推动内存需求发生根本性转变 [18] - 受近期内存需求强劲影响，DRAM和NAND的库存水平均环比下降，DRAM库存处于极低水平，DDR5产品基本实现"生产即发货" [24][25] - 服务器客户的内存库存水平已显著下降，整体客户库存水平呈走低态势 [24]