FY26Q3业绩表现 - 营收414.56亿美元，创历史新高，同比+345.72%，环比+73.75%，大幅超出此前327.5-342.5亿美元的指引[2] - Non-GAAP毛利率84.9%，同比+46个百分点，环比+10个百分点，超出81%的指引，主要得益于产品价格上涨及成本管控与产品结构优化[2] - 运营利润率81%，同比+54个百分点，环比+12个百分点[2] - 非GAAP稀释后每股收益25.11美元，环比增长106%[29] - 经营现金流254亿美元，资本开支71亿美元，自由现金流183亿美元创单季度历史新高[30] - 期末库存86亿美元，库存周转天数120天，DRAM库存周转天数低于120天，处于紧张水平[2][31] 分产品与分部门业绩 - **按产品划分**：DRAM收入313亿美元，同比+343%，环比+67%，占总营收76%，位元出货量环比增长低个位数，ASP环比增长低60%区间；NAND收入99亿美元，同比+361%，环比+99%，占总营收24%，位元出货量环比增长中个位数，ASP环比增长中80%区间[3] - **按业务部门划分**：云存储部门收入137.69亿美元，同比+306.65%，环比+77.69%，占总营收33%，毛利率83%；核心数据中心部门收入115.24亿美元，同比+653.20%，环比+102.64%，占总营收28%，毛利率87%；移动与客户端部门收入115.21亿美元，同比+253.95%，环比+49.41%，占总营收28%，毛利率87%；汽车与嵌入式部门收入46.34亿美元，同比+311.18%，环比+71.12%，占总营收11%，毛利率79%[3][8][25] 业绩指引与行业展望 - **FY26Q4指引**：营收预计500±10亿美元，中值同比+342%，环比+21%；毛利率预计86%，同比+40.3个百分点，环比+1.1个百分点；非GAAP稀释后每股收益预计31±1美元[4][33] - **市场展望**：预计DRAM与NAND的供需紧张格局将持续至2027年之后；预计2026年行业DRAM位元出货量增长20%-25%，NAND位元出货量增长约20%[4][19] - **资本开支**：Q4预计资本开支100亿美元，上调FY26全年资本开支将超270亿美元（此前为250亿美元）；27财年季度资本支出预计高于26Q4，一半同比增长来自建筑相关资本开支，用于提前建设洁净室产能[4][34] 战略客户协议 - **协议概况**：已与客户签署16项战略客户协议，覆盖数据中心、消费电子及汽车等终端市场，包括4家超大型客户和3家中型客户，其余为汽车行业客户[5][10] - **协议期限与体量**：协议期限主要为2026年至2030年底的五年期（汽车客户为三年期）；覆盖周期内约占美光DRAM总出货量20%、NAND总出货量三分之一；所有协议剩余合作周期内保底营收规模合计约1000亿美元[5][11] - **定价与保证金**：大型协议针对现有成熟产品设置价格上限（对标2026年二季度市场价格）并锁定价格下限；预计将收到客户预付保证金及配套金融承诺资金合计220亿美元[5][11][12] - **商业模式影响**：待全部SCA协议落地后，预计公司半数及以上营收将由跨终端市场的长期锁单协议构成；即便按合约底价计算，相关产品的毛利率也将显著高于公司历史单季度毛利率峰值[5][11][35] 技术与产品进展 - **先进制程**：1γ DRAM节点及G9 NAND节点均处于顺利量产爬坡阶段，预计将成为公司历史上出货量最大的DRAM和NAND制程节点；下一代节点预计于2027年下半年开始量产[5][13] - **HBM产品**：HBM4 12-Hi产品量产爬坡速度约为HBM3E 12-Hi的两倍，HBM4累计出货收入已超过10亿美元[5][14] - **成本趋势**：随着LPDDR5向LPDDR6、DDR5向DDR6以及HBM新一代产品迭代，单位bit制造成本将逐步提高；叠加新建产能，预计未来DRAM平均单位bit成本将较当前水平上升[6][14] 终端市场需求 - **数据中心**：AI推动2026年全球数据中心DRAM与NAND位元出货量将较两年前增长超过一倍；AI正推动更复杂的存储层级结构，提升存储产品战略地位[5][9][15] - **PC与移动终端**：高端产品需求保持韧性，产品平均售价提升及端侧AI功能加速导入，行业收入有望实现增长；端侧AI将推动终端设备内存容量和存储性能升级[17] - **汽车与机器人**：L2+及以上自动驾驶车型的存储容量达到普通乘用车的五倍以上；人形机器人所需存储容量约为普通L2+自动驾驶汽车的十倍，机器人产业将在2030年后开启持续数十年的存储需求扩张周期[6][18] 产能扩张计划 - **美国产能**：爱达荷州ID1晶圆厂预计2027年年中首片晶圆产出，ID2预计2028年末产出；纽约首个晶圆厂园区已开工建设；弗吉尼亚州工厂已启动1α DDR4技术量产[20] - **中国台湾产能**：新收购厂区约30万平方英尺厂房预计2027年年中实现较大规模产品出货，较预期提前约一个季度；已启动第二座同等规模洁净室建设[20] - **其他地区**：日本和新加坡项目按计划推进，新加坡将发展为先进封装中心之一，其先进封装设施预计2027年上半年开始对HBM封装产能形成重要贡献[20]