长期以来，科学家一直希望让半导体材料具备超导特性，以提升计算机芯片和太阳能电池的运行速度与能源效率，推动量子技术发展。然而，在 硅、锗等传统半导体中实现超导性极具挑战。 一个国际研究团队在最新《自然·纳米技术》发表论文称，他们制备出具有超导性的锗材料， 能够在零电阻状态下导电，使电流无损耗地持续流动。 在锗中实现超导，为在现有成熟半导体工艺基础上开发可扩展量子器件开辟了新路径。 （本文来源：科技日报） 下载财联社APP获取更多资讯 准确 快速 权威 专业 7x24h电报 头条新闻 VIP资讯 实时盯盘 此次突破由美国纽约大学、俄亥俄州立大学和澳大利亚昆士兰大学、瑞士苏黎世联邦理工学院等机构科学家合作完成。他们通过分子束外延技术， 在将镓原子精确嵌入锗的晶格中，实现高浓度掺杂。 分子束外延是一种可以逐层生长晶体薄膜的方法，能实现原子级的精确控制。通过这种方式，研究团队获得了高度有序的晶格结构。尽管掺杂导致 晶格轻微变形，但材料依然稳定。这种经过调控的锗薄膜在约3.5开尔文（约-269.7℃）时展现出超导性。 锗和硅同属元素周期表IV族，属于半导体材料，广泛应用于计算机芯片和光纤等现代电子器件。使其具有超导性的关 ...