文章核心观点 - 国际研究团队在锗材料中实现超导性突破，该材料能在约3.5开尔文（约-269.7℃）时以零电阻状态导电，使电流无损耗流动 [1] - 此项突破为在成熟半导体工艺基础上开发可扩展量子器件开辟了新路径，并有望加速量子技术的实用化进程 [1][2] 技术突破细节 - 研究团队通过分子束外延技术，将镓原子精确嵌入锗晶格实现高浓度掺杂，获得了高度有序且稳定的晶格结构 [1] - 实现超导的关键在于引入足够多的导电电子，在低温下形成配对并协同运动，从而消除电阻，此次研究通过精确控制生长条件克服了高浓度掺杂导致晶体破坏的障碍 [2] 行业影响与潜在应用 - 该材料能构建超导与半导体区域之间的清洁界面，是实现集成量子技术的关键一步 [2] - 由于锗已在先进芯片制造中广泛应用，这项技术有望兼容现有代工厂流程，推动其用于下一代量子电路、低功耗低温电子设备和高灵敏度传感器 [2]