在半导体研发过程中长期被视为"性能指针"的评估指标，近日被发现存在严重误差。 韩国蔚山科学技术院（UNIST）半导体材料与元件研究生院金正焕（Kim Jeong-hwan）教授与郑 昌 旭 （ Jung Chang-wook ） 教 授 团 队 于 11 月 3 日 宣 布 ， 他 们 发 现 半 导 体 器 件 的 关 键 性 能 指 标 ——"场效应迁移率（field-effect mobility）"的测量结果，可能因器件结构不同而被高估至实际 值的 30倍。研究团队同时提出了一套新的半导体器件结构设计标准，以解决这一问题。 电荷迁移率（charge mobility）是衡量电荷（电流）在半导体中移动速度与效率的重要指标。数 值越高，器件运行越快、功耗越低，因此是高性能半导体芯片研发中至关重要的性能标志。 研究显示，在氧化物薄膜晶体管（TFT）结构的半导体器件中，由于几何结构不同，迁移率测量值 可能被高估超过30倍。 研究团队指出，问题源于所谓的"边缘电流（fringe current）"——即电流通过电极侧边路径流动 的现象。在常规薄膜晶体管中，电流通常从源极进入，经由主通道（channel）流动，再 ...