这两个月，存储市场正经历一场罕见的供需失衡。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 伴随着云巨头持续扩大资本支出，人工智能需求进一步挤压供应，最终导致内存短缺问题不断加剧， 三星率先于10月暂停DDR5 DRAM合约定价，最终引发了内存疯狂暴涨。 而更引人关注的是，NAND闪存也在这轮涨价潮中扮演了重要角色。报告指出，9月以来，512Gb TLC晶圆价格稳步攀升，10月下旬已达5美元，1Tb TLC/QLC晶圆价格触及6.5至7.2美元区间。传统 上被视为廉价大容量存储的NAND，迎来了自己的高光时刻。 而NAND涨价的核心，除了库存见底之外，也指向了一个新兴技术概念——高带宽闪存(HBF，High- Bandwidth Flash)。如果说HBM让DRAM从配角跃升为AI时代的核心资产，那么HBF可能正在为 NAND开启同样的"封神之路"。 HBF：从概念到产业共识 今年上半年，闪迪在投资者日上介绍了高带宽闪存概念，这是一种NAND版本的高带宽内存技术。通 过将16层NAND堆栈通过逻辑芯片连接到中介层，再以多通道高带宽方式连接到GPU或其他处理器。 这一技术路线的提出并非偶然。当前AI模型正在向 ...