行业供应动态 - 全球八大NAND闪存制造商正协同缩减2023年下半年的NAND闪存供应量 [2] - 三星电子将其2023年NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较2022年的507万片减少约7% [2] - 铠侠将2023年NAND晶圆产量由2022年的480万片调整为469万片 [2] - SK海力士NAND晶圆产出同比下降约10%，从2022年的201万片降至2023年约180万片 [3] - 美光位于新加坡的Fab 7工厂产能维持在略高于30万片晶圆的低位区间 [3] 价格趋势 - 三星电子正与海外大型客户讨论2024年供货量，并考虑将NAND闪存价格上调20%至30%以上 [2] - NAND闪存价格在上一季度上涨15%，未来涨幅或达40%至50%以上 [3] - 主流512Gb三层单元NAND芯片晶圆现货价格较前周上涨14.2%，至5.51美元 [3] 技术转型与需求驱动 - 主要厂商正加速将生产线转向四层单元制程，以应对人工智能数据中心带动的强劲QLC需求增长 [2] - 厂商将资源聚焦于利润更高的QLC产品，导致TLC NAND供应趋紧 [3] - 在相同晶圆面积下，QLC可比TLC提升约30%的存储容量，更适用于AI数据中心所需的大容量固态硬盘 [3] 厂商策略与市场展望 - 厂商通过控制供应来引导价格上涨，并应对因减产造成的产出损失 [2] - 三星电子与铠侠的减产策略预计将持续至2024年 [2] - SK海力士和美光采取保守的产出限制策略，以获取更高价格带来的收益 [3]