文章核心观点 - 存储器产业资本支出持续增长但投资重心发生转变，从单纯扩产转向制程技术升级和高附加值产品开发 [2] - 由于投资重心转移及无尘室空间等限制，资本支出的增加对2026年存储器位元产出增长的贡献非常有限 [2][5] - NAND Flash市场因结构性需求驱动，供不应求状态预计将延续至2026年全年 [6][7] DRAM产业资本支出 - 2025年DRAM产业资本支出预计达537亿美元，2026年将增长至613亿美元，年增率达14% [4] - 美光科技2026年资本支出最为积极，预计为135亿美元，年增23%，专注于1 gamma制程和TSV设备建置 [5] - SK海力士2026年资本支出预计为205亿美元，年增17%，主要用于应对HBM4产能扩张 [5] - 三星2026年资本支出预计为200亿美元，年增11%，用于HBM的1C制程渗透及小幅增加晶圆产能 [5] - 无尘室空间供应不足，仅三星与SK海力士有小幅扩大产线机会，美光新厂产出需等到2027年 [5] NAND Flash产业资本支出 - 2025年NAND Flash产业资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5% [4] - 铠侠/闪迪因无DRAM业务，资本支出最为积极，预计投入45亿美元，年增41%，加速BiCS8生产及BiCS9研发 [6] - 美光科技专注于NAND Flash产能微增及G9制程与Enterprise SSD业务，2026年资本支出年增幅达63% [6] - 三星和SK海力士/思得将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先投资HBM和DRAM领域 [6] - NAND Flash需求爆发由AI储存需求急升及HDD供应不足导致云端服务供应商转单所带动，属于结构性短缺 [6] 产业趋势与市场展望 - DRAM和NAND Flash产业投资重心转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品 [2] - 2026年资本支出重心放在制程升级和导入混合键合技术而非扩产，将导致供应位元增幅有限 [7]