台积电3纳米产能与资本支出预测 - 摩根士丹利报告指出，辉达、超微、特斯拉等国际AI大厂积极抢占3纳米产能，导致台积电3纳米产能出现短缺[2] - 大摩预估，台积电3纳米月产能将在年底前额外扩增2万片至1112万片，高于预期；2026年将进一步增加至1415万片[2][3] - 为应对产能扩张，台积电2026年资本支出预计由原计划430亿美元提升至480500亿美元[2][3] 产能扩张的驱动因素与瓶颈 - 限制AI芯片供应的主要瓶颈是台积电前段晶圆制造能力及ABF基板供应，特别是T-Glass短缺，而非CoWoS封装产能[2] - 2026年3纳米产能扩增主要来自两部分：亚利桑那州第二期厂房约2万片，以及台湾现有4、5纳米产线转换的1万片[3] - 3纳米扩产面临无尘室空间不足的挑战，因空间转用于2纳米制程，扩产只能依赖现有厂区[2] 资本支出与未来机会 - 台积电2025年资本支出区间为400-420亿美元，公司强调将保持弹性，确保营收成长速度超越资本支出成长[5][6] - 2024年前三季资本支出为293.9亿美元，全年预测区间从380-420亿美元调整为400-420亿美元，年度平均值410亿美元较先前平均400亿美元小增2.5%[6] - 特斯拉未来的AI6芯片采用2纳米制程，预期每年为台积电带来约20亿美元的代工机会[3] 公司战略与行业影响 - 台积电约70%资本支出用于先进制程技术，1020%用于特殊制程技术，另外10~20%用于先进封装、测试等项目[6] - 台积电3纳米产能扩张及资本支出增加，预计对半导体设备厂有正面催化作用[3] - 公司可能将22纳米与28纳米产线自Fab15移出，转移至欧洲新厂[3]