文章核心观点 - 噪声已成为半导体行业在先进工艺节点和先进封装技术下的关键挑战，对芯片性能和可靠性构成严重威胁 [2][3][4] - 噪声问题从通信领域扩展到几乎所有芯片设计，其来源多样且影响因技术演进被放大几个数量级 [2][3] - 解决噪声需要多物理场协同分析和跨团队合作，传统设计裕度已不足以应对 [6][7][12] 噪声问题的严重性与演变 - 半导体技术尺寸缩小至7纳米以下，电源噪声成为重大挑战，动态电压噪声可达标称VDD的5%到10% [3] - 电源电压逼近1伏，晶体管密度持续提高，传统设计裕度几乎消失殆尽，微小波动即可能危及性能或可靠性 [3] - 信号完整性问题在系统端已存在30多年，但芯片端与系统端的工作正在融合，对芯片设计师构成新挑战 [4] - 采用AMS技术的SoC芯片首次成功率通常比纯数字芯片低10%到15%，差距主因是极端情况覆盖不足和集成问题 [10] 噪声的来源与具体影响 - 噪声注入来源多样，器件层面最初源于偏置温度不稳定性和闪烁噪声，但更大范围的噪声源影响程度大几个数量级 [2] - 更低的电源电压、更高电流密度和更密集互连会增加IR压降、电感噪声和电源分配网络不连续性 [3] - 复杂SoC中可能有二三十个电压域，仅两三个是高电流域，需将其他域噪声降至最低，但先进封装使互连线距离更近，串扰增加 [5] - 在DDR接口中，局部IR压降会降低信号摆幅导致眼图闭合和比特错误；HBM设计中微小电压下降会扰乱时序裕量导致数据损坏 [5] - 系统包含多个元件时，功率振荡累积会导致低频振荡，单片器件不会出现此情况 [5] - 超低功耗芯片工作电压接近阈值电压，为提高能效牺牲电压裕度，更易受电压下降、抖动和串扰影响 [5] 多物理场挑战与系统级问题 - 先进封装平台如2.5D/3D集成带来新挑战，模拟模块易受电源完整性、热梯度和芯片间串扰影响 [7] - 高频设计下，小封装部件可能成为天线，设计不当会泄漏信号影响相邻芯片 [7] - 多物理场问题包括电磁效应、漏电和热效应，三者会相互作用，必须认真对待 [8] - 随着频率提高，客户需更准确模拟时钟抖动和不确定性，老化问题也变得尤为重要 [8] 分析方法与验证挑战 - 分析方法结合静态和动态IR压降仿真、电热PDN建模和片上电压传感器，以捕捉瞬态压降和谐振特性 [10] - 噪声抑制可在芯片、封装或电路板层面进行，芯片层面可采用更宽电源轨、更多过孔和去耦电容等策略 [10] - 模型验证至关重要，若未做好则整个基础错误，成为很大痛点 [10] - 许多噪声故障属“静默数据错误”，根本原因难确定且极难重现，在低功耗设备中表现为可靠性漂移或数据包丢失等 [10] 组织与团队影响 - 芯片组和先进封装技术带来更多问题，需要工程师协同工作，但不同领域工程师使用语言不同 [12] - 数字集成电路设计师可能需要用到三维电磁求解器，封装设计师需进行正式DRC，是系统与芯片设计工具和专业知识的融合 [13] 可能的解决方案与未来方向 - 噪声可通过现有工具管理，前端通过RTL设计选择间接影响噪声，后端通过电源网络设计等最大限度降低噪声 [14] - 人工智能代理可自主分析EM/IR仿真，从过去数据学习，提出布局改进建议以优化电源分配效率 [14] - 提高片上电压调节器应用率是考虑方向，但瓶颈在于开发可集成到封装内部的高效磁性元件 [14] - 集成电压调节器缺点是需要占用更多面积导致成本增加，且可能带来初期不确定性和其他问题 [14] - 将芯片、封装和系统视为集成PDN设计挑战，有助于构建噪声更低芯片，对于超低功耗系统，控制噪声可节省数周甚至数月电池续航时间 [14]