技术产品核心 - 信越化学工业自主开发了用于氮化镓（GaN）半导体制造的大型“QST基板”，基板直径为300毫米 [2][4] - 采用该300毫米基板制造的GaN晶体管可支持650伏特以上的高电压，有助于减轻电力损耗 [2][4] - 该技术基于公司自主的QST基板，通过生成GaN层实现，GaN层越厚越能应对高电压 [4] 性能优势与应用 - 与硅相比，GaN能更有效地控制电力，新开发的大型基板解决了此前GaN难以大型化的难题，抑制了在硅基板上生成GaN层时产生的翘曲 [4] - 该技术有助于提高人工智能（AI）用数据中心的电力控制效率，并可用于纯电动汽车（EV）的车载充电器 [2][4] - 通过支持高电压来减少电流，从而减轻电力损耗，应对数据中心耗电量巨大的课题 [2][4] 生产与商业化进展 - 公司已提供300毫米基板样品，并与比利时半导体研究机构imec合作验证了晶体管性能 [4] - 通过基板大型化，可从一基板制造更多半导体，并可利用面向300毫米的现有设备，帮助客户提高生产效率 [4] - 公司计划在两三年内建立300毫米基板的量产体制，并与imec合作将晶体管耐受电压提升至1200伏以上以扩大用途 [4]