市场格局与前景 - IGBT市场正进入硅、SiC和GaN三种技术并存的新阶段，各自满足特定性能和成本要求[2] - 到2030年，IGBT设备市场总额预计将达到134亿美元，2024年至2030年的复合年增长率为7.5%[4] - 尽管SiC在800V电动汽车平台等领域快速发展，IGBT仍在高功率、高电压和成本敏感型应用中占据主导地位[2][4] IGBT的关键应用领域 - IGBT在混合动力汽车、光伏逆变器、风力涡轮机、UPS、铁路牵引和电网基础设施等应用中不可或缺[2][4] - 系统功率和电压不断提高的趋势强化了IGBT在高压、大电流应用中的优势[4][6] - 在铁路、海上风电、国防和航空航天等关键应用中，IGBT的稳健性和可靠性使其占据有利地位[4] 技术发展趋势 - IGBT创新方向已从器件架构转向晶圆技术、制造效率和封装[13] - 行业正向300毫米大直径晶圆过渡，相比200毫米晶圆具有结构性成本优势[10][14][17] - 封装开发聚焦于提高功率密度、使用成本更优的材料和优化制造工艺，以平衡性能与成本[15][16] 供应链变动与竞争格局 - 中国处于IGBT供应链重组的中心，国内厂商正在崛起[8][9][10] - 拥有300毫米晶圆生产能力的制造商以及在中国设有生产基地或强大渠道的厂商享有竞争优势[9][10] - IGBT面临来自SiC MOSFET的竞争，尤其在800V纯电动汽车领域，且随着SiC价格下降，竞争可能蔓延至低成本电动汽车市场[5] 成本与效率优化策略 - 多个市场的激烈价格竞争有利于IGBT相对于SiC器件的发展[4][9] - 降低IGBT模块成本的三大策略包括：提高功率密度、使用“足够好”的材料和简化封装、优化制造工艺[16] - 通过减小晶圆厚度、CZ-Si晶圆处理以及提高工厂自动化水平等手段持续优化成本[17]